[发明专利]一种硅纳米柱的制备方法在审
| 申请号： | 201810231651.X | 申请日： | 2018-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN110306243A | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 张晓宏;揭建胜;肖鹏 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C30B33/12 | 分类号： | C30B33/12;H01L31/0236;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 215123 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅纳米柱的制备方法，包括如下步骤：在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。本发明的方法解决了在正上方的入射光照射到硅纳米柱上时，如何减小反射率的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 硅纳米柱 氧化硅片 预设图案 刻蚀 预设 制备 反应气体 角度倾斜 预设夹角 反射率 入射光 柱状体 减小 照射 铺设 | ||
【主权项】：
1.一种硅纳米柱的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在氧化硅片的表面铺设具有预设图案的模板，所述预设图案选择成在按照所述预设图案进行刻蚀时允许刻蚀出柱状体；将所述氧化硅片放置于一刻蚀时所用的基片上，并使其与所述基片成预设夹角；利用反应气体沿着一预设方向向所述氧化硅片的内部进行刻蚀，以在所述氧化硅片内形成以预设倾斜角度倾斜的硅纳米柱。
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