[发明专利]形成用于接合晶圆的集成电路结构的方法及所产生的结构

权利要求书

1.一种用于接合晶圆的集成电路结构，该集成电路结构包含：

位于衬底上方的金属柱，该金属柱包括上表面；

位于该金属柱的该上表面上方的湿化抑制剂层，其中，位于该湿化抑制剂层上方的光阻受图案化，使得位于该金属柱的该上表面的周缘周遭的该湿化抑制剂层的第一部分受包覆以及位于该金属柱的中央部分上方的该湿化抑制剂层的第二部分受曝露，该湿化抑制剂层的该第二部分受移除以使其底下的该金属柱的该中央部分曝露，且该光阻受移除以使位于该金属柱的该上表面的该周缘周遭的该湿化抑制剂层的该第一部分曝露；以及

位于该金属柱的该上表面上方的焊接材料，该焊接材料位于该金属柱的该上表面的该周缘周遭的该湿化抑制剂层的该第一部分内并且受其限制。

2.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该湿化抑制剂层包括介电质或氟碳化合物。

3.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该湿化抑制剂层定义位于该金属柱上方的环形环或多角框体。

4.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该金属柱包括至少下列一者：铜、镍、或其组合。

5.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该焊接材料包括至少下列一者：锡、银或铜。

6.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该湿化抑制剂层包括2.0微米(μm)至6.0微米的宽度。

7.如权利要求1所述的集成电路结构，其特征在于，该金属柱的侧壁无该焊接材料。

8.一种形成用于将晶圆接合的集成电路结构的方法，该方法包含：

形成位于衬底上方的金属柱，该金属柱具有上表面；

形成位于该金属柱的该上表面上方的湿化抑制剂层；

将位于该湿化抑制剂层上方的光阻图案化，使得位于该金属柱的该上表面的周缘周遭的该湿化抑制剂层的第一部分受包覆以及位于该金属柱的中央部分上方的该湿化抑制剂层的第二部分受曝露；

将该湿化抑制剂层的该第二部分移除以使其底下的该金属柱的该中央部分曝露；

将该光阻移除以使位于该金属柱的该上表面的该周缘周遭的该湿化抑制剂层的该第一部分曝露；以及

形成位于该金属柱的该上表面的该周缘周遭的该湿化抑制剂层的该第一部分内并且受其限制的该金属柱的该上表面上方的焊接材料。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成该焊接材料包括：

从该金属柱的该受曝露的中央部分起电镀该焊接材料，使得该焊接材料受该湿化抑制剂层限制；以及

回焊该焊接材料，使得该焊接材料的形状为实质球形。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该湿化抑制剂层包括介电质或氟碳化合物。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该湿化抑制剂层定义位于该金属柱上方的环形环或多角框体其中至少一者。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该金属柱包括至少下列一者：铜、镍、或其组合。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该焊接材料包括至少下列一者：锡、银、或铅。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，该湿化抑制剂层包括2.0微米(μm)至6.0微米的宽度。

15.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成位于该金属柱的该上表面的该周缘周遭的该湿化抑制剂层包括：形成该湿化抑制剂层，使得该金属柱的侧壁无该焊接材料。