[发明专利]在多晶CZT上沉积DLC膜的方法及CZT半导体探测器有效
| 申请号： | 201810040325.0 | 申请日： | 2015-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN108456847B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 廖斌;欧阳晓平;王宇东;吴先映;张旭;罗军 | 申请（专利权）人： | 北京师范大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/32;C23C14/48;H01L31/18;H01L31/115;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 李冬梅;苗源 |
| 地址： | 100875 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沉积 多晶 磁过滤阴极真空弧沉积 半导体探测器 第一层 过渡层 薄膜 晶体表面 漏电流 减小 释放 | ||
1.一种在多晶碲锌镉(CZT)上沉积类金刚石碳(DLC)膜的方法，其特征在于，包括：
采用磁过滤阴极真空弧沉积方法，在多晶CZT的晶体表面沉积第一层DLC膜；
在所述第一层DLC膜之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积用于释放内应力的薄膜过渡层，在所述第一层DLC膜和所述薄膜过渡层之间，采用金属离子源注入方法注入金属钛层；该薄膜过渡层为聚酰亚胺膜或氧化铝膜层；
在所述薄膜过渡层之上，采用磁过滤阴极真空弧沉积方法沉积第二层DLC膜；
所述金属钛层的注入条件包括：注入电压8Kv，注入束流5mA，注入剂量1000mC；
所述磁过滤阴极真空弧沉积方法利用双管180度磁过滤沉积方式。
2.根据权利要求1所述的在多晶CZT上沉积DLC膜的方法，其特征在于，
在沉积所述第一层DLC膜时，采用的靶材为碳阴极，起弧电流90A，弯管磁场2.0A，束流50mA，顺序采用负压-800V、-600V、-400V、及-300V进行沉积；和/或，
在沉积所述第二层DLC膜时，采用的靶材为碳阴极，起弧电流90A，弯管磁场2.0A，起弧电流90 A，弯管磁场2.0 A，负压-300V，沉积时间15min，占空比为20％。
3.根据权利要求1所述的在多晶CZT上沉积DLC膜的方法，其特征在于，在沉积所述氧化铝膜层时，采用的靶材为Al阴极，起弧电流90A，弯管磁场2.0A，氧气流量50sccm。
4.根据权利要求1所述的在多晶CZT上沉积DLC膜的方法，其特征在于，所述第一层DLC膜的厚度为80-120nm，所述氧化铝膜层层的厚度为20-30nm，所述第二层DLC膜的厚度为0-370nm。
5.一种碲锌镉(CZT)半导体探测器，其特征在于，设置有采用权利要求1至4任一项所述的在多晶CZT上沉积DLC膜的方法制备而成的多晶CZT。
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