[实用新型]一种SiC结势垒肖特基二极管有效
| 申请号： | 201721570348.X | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN207381410U | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 朱继红;蔺增金;赵小瑞;张志文 | 申请（专利权）人： | 北京燕东微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/40;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京正理专利代理有限公司 11257 | 代理人： | 张雪梅 |
| 地址： | 100015 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sic 结势垒肖特基 二极管 | ||
1.一种SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：
第一导电类型的SiC衬底；
第一导电类型的SiC外延层，位于所述衬底的第一表面上，其中，所述外延层的掺杂浓度小于所述衬底的掺杂浓度；
结势垒区，从外延层的远离所述衬底的表面延伸进入所述外延层，所述结势垒区包括多个第二导电类型的环状或者条状结构；
第二导电类型的SiC结终端扩展区，自所述结势垒区的结终端向远离所述结势垒区的两侧延伸设置，所述掺杂浓度自所述结势垒的结终端向两侧逐渐减小；
介质层，设置在所述外延层的远离所述衬底的表面上且具有斜坡结构，并且所述斜坡结构自所述势垒区的结终端起向两侧方向逐渐加厚，在与所述结势垒区对应的部分形成开口；
第一电极层，设置在所述衬底的第二表面上；以及
第二电极层，包括覆盖所述开口的肖特基接触区和延伸到所述介质层上的场板结构。
2.如权利要求1所述的SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述介质层由SiO
3.如权利要求1所述的SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型且所述第二导电类型为P型。
4.如权利要求1所述的SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型且所述第二导电类型为N型。
5.如权利要求1所述的SiC结势垒肖特基二极管，其特征在于，在所述第二电极层中，所述场板结构延伸到所述介质层上5-50μm。
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