[实用新型]馈入结构、上电极组件以及物理气相沉积腔室和设备

权利要求书

1.一种馈入结构，用于物理气相沉积设备，包括：

引入杆，接收功率；

引入板，耦接至所述引入杆；以及

多个分配杆，所述多个分配杆围绕所述引入杆的轴线均匀分布，并且每个分配杆的一端耦接到所述引入板，另一端向靶材提供功率。

2.如权利要求1所述的馈入结构，所述引入杆、所述引入板和所述靶材同轴设置。

3.如权利要求1或2所述的馈入结构，所述引入板开有关于其中心对称的多个孔。

4.如权利要求3所述的馈入结构，所述多个孔包括多圈圆孔，各圈圆孔数量相同，沿所述引入板中心至边缘的方向，所述圆孔的半径递增。

5.如权利要求1或2所述的馈入结构，所述分配杆的直径不小于10mm。

6.一种上电极组件，包括：

如权利要求1至5任一项所述的馈入结构；

还包括：

射频电源和/或直流电源，耦接所述引入杆。

7.如权利要求6所述的上电极组件，还包括：

支撑座，一端支撑所述引入板，另一端可固定所述靶材，所述多个分配杆设置在所述支撑座内并可耦接所述靶材；

磁控管轴承座，安装于所述支撑座，用于将沿第一轴线的外部驱动转换为沿第二轴线的输出驱动，所述第一轴线偏离所述引入杆的轴线。

8.如权利要求7所述的上电极组件，

所述支撑座包括：支撑壁以及设置于支撑壁内部的隔段层；

所述支撑壁的一端支撑所述引入板而形成第一腔体，另一端可固定到靶材而形成第二腔体；

所述磁控管轴承座设置于所述第一腔体，包括：

输入轴，沿所述第一轴线接收所述外部驱动；

输出轴，穿过所述隔段层伸入所述第二腔体，沿所述第二轴线输出所述输出驱动，所述第二轴线与所述引入杆的轴线重合；

所述上电极组件还包括：

磁控管装配体，设置于所述第二腔体，安装于所述磁控管轴承座的输出轴。

9.如权利要求8所述的上电极组件，还包括：

电机，位于所述第一腔体外，连接所述磁控管轴承座的输入轴；

所述磁控管轴承座的输入轴穿过所述引入板。

10.如权利要求8所述的上电极组件，还包括：

电机，位于所述第一腔体，被屏蔽结构包覆，连接所述磁控管轴承座的输入轴。

11.如权利要求7所述的上电极组件，

所述支撑座包括：支撑壁以及设置于支撑壁一端的支撑盖；

所述支撑盖支撑所述引入板，支撑壁另一端可固定到靶材而形成一腔体；

所述磁控管轴承座设置于所述腔体，被防水结构包覆，包括：

输入轴，沿所述第一轴线接收所述外部驱动；

输出轴，穿过所述隔段层伸入所述第二腔体，沿所述第二轴线输出所述输出驱动，所述第二轴线与所述引入杆的轴线重合；

所述上电极组件还包括：

磁控管装配体，设置于所述腔体，安装于所述磁控管轴承座的输出轴。

12.如权利要求11所述的上电极组件，还包括：

电机，位于所述腔体外；

所述磁控管轴承座的输入轴依次穿过所述支撑盖和引入板，所述电机连接所述磁控管轴承座的输入轴。

13.如权利要求11所述的上电极组件，还包括：

电机，位于所述腔体，被防水结构包覆，连接所述磁控管轴承座的输入轴。

14.如权利要求7至13任一项所述的上电极组件，还包括：

屏蔽罩，置于所述支撑座的外围；

屏蔽板，设置于所述屏蔽罩顶端，通过绝缘垫块固定于所述引入板的顶面，所述引入杆从其穿过。

15.一种物理气相沉积腔室，包括：

腔室本体，

上电极组件，设置于所述腔室本体顶部，所述上电极组件采用如权利要求6至14中任一项所述的上电极组件。

16.一种物理气相沉积设备，包括权利要求15所述的物理气相沉积腔室。