[实用新型]一种单晶炉导流筒防沉积结构

说明书

技术领域

本实用新型属于单晶硅生产领域，尤其是涉及一种单晶炉导流筒防沉积结构。

背景技术

太阳能硅单晶在生产过程中，为了提高单晶生长速度和提高装料量，需要加装可提升的导流筒来提高单晶的纵向温度梯度和装料空间。为了方便吊装导流筒顺利下降，需要在导流筒外侧与封闭环内侧之间留有足够空隙，如附图1所示，在单晶生长过程中，会持续通入氩气等保护气体，气流在缝隙处会出现严重涡流现象，由于缝隙处保温差，温度较低，因此导流筒外沿下方附近常常会产生沉积物，单晶生长过程中，沉积物脱落会影响单晶正常生长，使单晶成晶率变低，成本升高。

发明内容

有鉴于此，本实用新型旨在提出一种单晶炉导流筒防沉积结构，以避免单晶硅生产中因氩气等保护气体涡流现象导致沉积物产生，进而导致单晶硅质量欠佳问题。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案是这样实现的：

一种单晶炉导流筒防沉积结构，包括单晶炉内由上至下依次设置的提升板、封闭环和支撑环，所述提升板吊装在单晶炉炉盖上，所述支撑环固装在单晶炉炉体内，所述封闭环固装在支撑环上，所述支撑环和封闭环同轴心设置，该封闭环内径大于支撑环内径，所述支撑环凸出封闭环内侧面的部位形成环状密封部，导流筒固装在提升板上，该导流筒侧壁顶端设有向外的环状外沿，所述环状外沿底面和环状密封部顶面相贴。

进一步的，所述封闭环为柱状筒结构。

进一步的，所述支撑环厚度为3-5mm。

进一步的，所述导流筒和提升板间通过螺钉连接。

相对于现有技术，本实用新型所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构具有以下优势：

本实用新型所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构中，拉晶时，设置在导流筒的环状外沿底面和设置在支撑环的环状密封部顶面相贴，防止热场内的气流在封闭环和导流筒间的缝隙产生涡流，杜绝沉积的产生，进而保证了拉晶质量。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解，本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中：

图1为现有技术中单晶炉内导流筒使用状态示意图；

图2为本实用新型实施例所述的一种单晶炉导流筒防沉积结构示意图；

附图标记说明：

1-导流筒；11-环状外沿； 2-提升板；

3-封闭环；4-支撑环；41-环状密封部。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。