[实用新型]半导体封装限制件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体封装限制件，特定而言涉及在回焊过程中用于限制半导体封装的半导体封装限制件。

背景技术

在半导体晶片上形成集成电路，接着将半导体晶片接合到封装基底上。在接合过程期问，直接将晶片放置于回焊机热板上进行回焊，没有施加额外的辅助置具，此容易在晶片内造成明显的翘曲。因晶片翘曲导致回焊过程时温度均匀度分布不均，在晶片边缘产生了回焊不完全，最严重的良率损失高达50％。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种半导体封装限制件，其用以将第一载板及晶片固定到第二载板上。所述半导体封装限制件包括第一底面，其接触第二载板的第一表面；及第二底面，其接触晶片的第一表面。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件包括第三底面，其接触所述第一载板的第一表面。在一或多个实施例中，所述第一底面低于所述第二底面，所述第三底面低于所述第二底面，所述第一底面低于所述第三底面。在一或多个实施例中，所述第一底面、所述第二底面及所述第三底面为阶梯状排列。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件为围绕所述晶片的环状结构。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件进一步包含第三载板，其中所述第一载板在所述第三载板上方。

本实用新型的另一实施例提供一种可分离的半导体封装限制件，其用以将第一载板及晶片固定到第二载板上。所述半导体封装限制件包括：第一底面，其可分离地在第二载板上；及第二底面，其可分离地在晶片上。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件包括第三底面，其接触所述第一载板的第一表面。在一或多个实施例中，所述第一底面低于所述第二底面，所述第三底面低于所述第二底面，所述第一底面低于所述第三底面。在一或多个实施例中，所述第一底面、所述第二底面及所述第三底面为阶梯状排列。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件为围绕所述晶片的环状结构。在一或多个实施例中，所述半导体封装限制件进一步包含第三载板，其中所述第一载板在所述第三载板上方。

附图说明

由以下详细说明与附随图式得以最佳了解本实用新型揭示内容的各方面。注意，根据产业的标准实施方式，各种特征并非依比例绘示。实际上，为了清楚讨论，可任意增大或缩小各种特征的尺寸。

第1图绘示本实用新型的实施例的晶片与半导体封装限制件的顶视图。

第2图绘示本实施例的晶片与半导体封装限制件的剖面图。

第3图绘示本实用新型的另一实施例的晶片与半导体封装限制件的剖面图。

具体实施方式

本实用新型提供了数个不同的实施方法或实施例，可用于实现本实用新型的不同特征。为简化说明起见，本实用新型也同时描述了特定零组件与布置的范例。请注意提供这些特定范例的目的仅在于示范，而非予以任何限制。举例来说，在以下说明第一特征如何在第二特征上或上方的叙述中，可能会包含某些实施例，其中第一特征与第二特征为直接接触，而叙述中也可能包含其它不同实施例，其中第一特征与第二特征中间另有其它特征，以致于第一特征与第二特征并不直接接触。此外，本实用新型中的各种范例可能使用重复的参考数字和/或文字注记，以使文件更加简单化和明确，这些重复的参考数字与注记不代表不同的实施例与配置之间的关联性。

另外，本实用新型在使用与空间相关的叙述词汇，如“在…之下”、“低”、“下”、“上方”、“上”、“在…之上”及类似词汇时，为便于叙述，其用法均在于描述图示中一个元件或特征与另一个(或多个)元件或特征的相对关系。除了图示中所显示的角度方向外，这些空间相对词汇也用来描述所述装置在使用中以及操作时的可能角度和方向。所述装置的角度方向可能不同(旋转90度或其它方位)，而在本实用新型所使用的这些空间相关叙述可以同样方式加以解释。

在本文中所使用的“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”词语描述各种元件、组件、区域、层、以及/或区段，这些元件、组件、区域、层、以及/或区段应不受限于这些词语。这些词语可仅用于元件、组件、区域、层、或区段与另一元件、组件、区域、层、或区段。除非内文中清楚指明，否则当于本文中使用例如“第一”、“第二”、“第三”以及“第四”词语时，并非意指序列或顺序。

本实用新型所描述的半导体封装限制件可以将晶片及衬底固定于加热板上，加速加热板对晶片加热的速度，进而提升回焊过程的效率。

参阅第1图。第1图绘示本实用新型的实施例的晶片与半导体封装限制件的顶视图。如第1图所示，本实施例的半导体封装限制件101环绕晶片100。图2为图1中沿线A-A'的剖面图。