[发明专利]一种IGZO薄膜晶体管制备方法在审
| 申请号： | 201711444804.0 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108183132A | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 甘启明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第二金属层 蚀刻 漏极 半导体层 双氧水 薄膜晶体管 像素电极 钝化层 接触孔 蚀刻液 源极 制备 第一金属层 栅极绝缘层 曝光显影 生产效率 光阻层 制程 阻层 | ||
1.一种IGZO薄膜晶体管制备方法，包括：
步骤S1，通过第一道光罩使第一金属层形成栅极，并在所述栅极上依次形成栅极绝缘层、IGZO半导体层和第二金属层；
步骤S2，在所述第二金属层上涂布光阻层，通过第二道光罩对所述光阻层进行曝光显影，再采用双氧水蚀刻液同时蚀刻所述第二金属层和IGZO半导体层，所述第二金属层被蚀刻形成源极和漏极；
步骤S3，在所述源极、漏极上形成钝化层，并通过第三道光罩在所述漏极上方形成接触孔；
步骤S4，通过第四道光罩在所述钝化层上形成像素电极，并将像素电极通过接触孔与漏极连接。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2中，所述第二金属层的蚀刻速率与所述IGZO半导体层的蚀刻速率选择比大于20。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S2具体包括：
在所述第二金属层上涂布光阻层；
通过第二道光罩对所述光阻层进行曝光显影，投影于所述栅极的光阻被部分去除，形成第一沟道区；
采用双氧水蚀刻液同时蚀刻位于所述栅极两侧的第二金属层和IGZO半导体层；
将第一沟道区的光阻全部去除，形成第二沟道区；
对位于第二沟道区的第二金属层进行蚀刻，分别形成漏极和源极。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第二道光罩为半色调光罩。
5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述第一沟道区的光阻具体是用氧等离子灰化全部去除。
6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述对位于第二沟道区的第二金属层进行蚀刻时，蚀刻至不覆盖其下方的IGZO半导体层时止。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S3中，所述钝化层具体是在所述漏极、源极以及未被所述漏极和源极覆盖的IGZO半导体层上沉积形成。
8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：
在所述钝化层上沉积像素电极层；
通过第四道光罩对所述像素电极层进行曝光显影，形成像素电极；
将所述像素电极通过所述接触孔与所述漏极连接。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极层具体为氧化铟锡ITO层。
10.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述IGZO半导体层采用物理气相沉积方式形成。
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