[发明专利]一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料

说明书

本发明公开了一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料，该高导电导磁复合材料用于制造等离子体处理设备的反应腔外壁，包括高磁导率基材和设置在所述高磁导率基材表面的高电导率层；所述高磁导率基材的材质为坡莫合金。其内芯层磁导率高，外表层电导率高，可以同时满足刻蚀机对磁场和电场屏蔽的需求，通过蒸镀，气相沉积，热喷涂，冷喷涂等方式加工简单，可以实现批量生产。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料。

背景技术

等离子体刻蚀机，通过向真空反应腔室引入含有适当刻蚀剂或淀积源气体的反应气体，然后再对该反应腔室施加射频能量，以解离反应气体生成等离子体，用来对放置于反应腔室内的基片表面进行加工。

在使用电感耦合产生等离子体的机台上，如TSV(Through Silicon Vias,硅穿孔)和ICP(Inductively Coupled Plasma,电感耦合等离子体)，需要使用磁屏蔽材料来屏蔽外部磁场对等离子体的干扰，需要高磁导率材料，而等离子刻蚀机的RF(Radio Frequency,射频)环境又要对电场屏蔽，需要高电导率材料。

而目前磁导率高的材料电导率都不高，电导率高的材料磁导率又很低，不能满足同时对磁场和电场屏蔽需求。

发明内容

本发明的目的是提供一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料，以满足同时对磁场和电场屏蔽需求。

为达到上述目的，本发明提供了一种用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，所述复合材料用于制造等离子体处理设备的反应腔外壁，包括高磁导率基材和设置在所述高磁导率基材表面的高电导率层；所述高磁导率基材的材质为坡莫合金。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高磁导率基材的镍含量大于50％。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高磁导率基材的厚度大于0.01mm。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高电导率层的材质为铝、铜、金或银中的一种或几种。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高电导率层为不同材质高电导率子层堆叠组成。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高电导率层的厚度为1μm～5mm。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高磁导率基材和高电导率层之间还设置有过渡层。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述过渡层的材质为镍或铬。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述过渡层的厚度为1μm～1mm。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述过渡层通过电镀、蒸镀、气相沉积、热喷涂或冷喷涂镀在所述高磁导率基材上。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高电导率层通过电镀、蒸镀、气相沉积、热喷涂或冷喷涂镀在所述高磁导率基材上。

上述的用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料，其中，所述高电导率层通过电镀、蒸镀、气相沉积或热喷涂镀在所述过渡层材料上。

本发明还提供了一种等离子体处理设备，其包括：

反应腔，其由外壁围成且内部设置基座用于对待处理基片进行支撑；

气体供应装置，其与所述的反应腔连接，用于输送反应气体至所述的反应腔内，及，