[发明专利]一种LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201711331483.3 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108054259A | 公开（公告）日： | 2018-05-18 |
| 发明（设计）人： | 祁月红 | 申请（专利权）人： | 苏州吉赛电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 仲崇明 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括第一衬底以及依次形成于所述第一衬底上的第二衬底和外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一衬底和第二衬底由透明材质制得，所述第一衬底与所述第二衬底贴合的一侧表面凹陷形成有多个微纳结构，所述第一衬底的厚度大于所述第二衬底的厚度。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述微纳结构为圆底形或倒锥形。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底由同一材质制得。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底通过直接键合工艺连接。
5.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一衬底和第二衬底的厚度比为10:1～8:1。
6.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，该方法包括：
S1、在第一衬底的一侧表面通过蚀刻形成多个凹陷的微纳结构；
S2、将第二衬底连接于所述第一衬底具有微纳结构的一侧表面；
S3、在所述第二衬底远离所述第一衬底的一侧表面依次制作第一半导体层、发光层和第二半导体层，制得LED芯片。
7.根据权利要求6所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，步骤S1具体包括，在第一衬底一侧表面的边缘处进行保护，并在未被保护的第一衬底的所述表面通过蚀刻形成多个凹陷的微纳结构。
8.根据权利要求7所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述方法还包括在形成所述微纳结构后去除所述第一衬底一侧表面的保护，并将第二衬底通过直接键合的方式与所述第一衬底的一侧表面上未被蚀刻的区域连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州吉赛电子科技有限公司，未经苏州吉赛电子科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711331483.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
