[发明专利]TFT-LCD玻璃镀膜生产线在审

专利信息
申请号: 201711321566.4 申请日: 2017-12-12
公开(公告)号: CN109913831A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 陈立;孙桂红;祝海生;黄乐;凌云;黄夏;黄国兴 申请(专利权)人: 湘潭宏大真空技术股份有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/56;C03C17/34
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 411100 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 磁控溅射装置 镀膜生产线 传送室 磁控靶 工艺室 缓冲室 基片架 大面积玻璃镀膜 传统生产线 太阳能面板 透明导电膜 玻璃基片 高反射膜 基片装载 抗反射膜 生产效率 速度转换 显示面板 悬浮电位 阳极装置 装饰面板 电场 出口室 进口室 透过率 正交的 磁场 进口 出口 传送 生产
【权利要求书】:

1.一种TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,依次包括进口室、进口缓冲室、进口传送室、工艺室、出口传送室、出口缓冲室和出口室;所述工艺室中设有磁控溅射装置,所述磁控溅射装置设有正交的电场和磁场,所述磁控溅射装置的阳极装置设于磁控溅射装置磁控靶的周围,玻璃基片通过基片架安装于磁控靶的相对位置,所述基片架位于磁控靶的悬浮电位。

2.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述工艺室在进行磁控溅射时,基片加热到150℃~250℃。

3.根据权利要求2所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述工艺室在进行磁控溅射时,真空室极限真空度为5.0×10-4Pa。

4.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述磁控溅射装置采用两对闭路环控制的中频孪生Si靶,和十对圆柱AZO靶。

5.根据权利要求1所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述磁控溅射装置设有两个,所述基片架设有两个,位于两个磁控溅射装置的中间位置。

6.根据权利要求5所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述基片架的上端设有上凹槽,下端设有下凹槽,所述下凹槽设有弹性压板。

7.根据权利要求6所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述基片架分为上段、下段和伸缩段,所述上凹槽和下凹槽之间的距离通过伸缩段调节。

8.根据权利要求7所述的TFT-LCD玻璃镀膜生产线,其特征在于,所述伸缩段的一端与上段固定连接,另一端与下段拆卸连接,所述伸缩段沿长度方向设有多个定位键,所述下段两端的边框设有调节腔,所述调节腔设有多个键槽,所述键槽与定位键配合。

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