[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201711310010.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109216263A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡万霖;许仲豪;林颂恩;王仁宏;潘兴强;李资良 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电质 堆叠 介电层 等离子体 低温原子层沉积 蚀刻 半导体装置 低温化学 反应气体 高深宽比 光刻胶层 气相沉积 前驱物 最小化 电层 共形 移除 沉积 填充 开口 损害 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：
形成多个图案化结构于一基板之上；
形成一间隔物材料于多个所述图案化结构之上；
设置一材料层于该间隔物材料之上；
形成一个或多个开口于该材料层中以暴露一部分的该间隔物材料；
沉积一介电质于该材料层之上以填充该一个或多个开口；以及
蚀刻该介电质和该材料层直到暴露出该间隔物材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
