[发明专利]光致抗蚀剂组合物以及使用其形成精细图案的方法

说明书

一种光致抗蚀剂组合物包含感光性聚合物以及光酸产生剂，所述感光性聚合物包含聚合物链及偶合到所述聚合物链的至少一个第一官能团。所述第一官能团具有由以下化学式1表示的结构，[化学式1]其中Rsubgt;1/subgt;为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且Rsubgt;2/subgt;为‑H、‑F、‑Cl、‑Br、碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个。上述的光致抗蚀剂组合物具有高感光性。

[相关申请的交叉参考]

分别在2016年12月8日及在2017年8月09日在韩国知识产权局提出申请的且名称为“光致抗蚀剂组合物以及使用其形成精细图案的方法(Photoresist Composition and aMethod for Forming a Fine Pattern Using the Same)”的韩国专利申请第10-2016-0166911号及第10-2017-0101279号全文并入本案供参考。

技术领域

本发明实施例涉及一种化学增幅(chemically amplified)光致抗蚀剂组合物以及一种使用所述化学增幅光致抗蚀剂组合物形成半导体装置的精细图案的方法。

背景技术

精细图案有利于制造高度集成的半导体装置。为将诸多元件集成在小的区域中，期望每一单独的元件应被形成得尽可能小。

发明内容

本发明实施例涉及一种光致抗蚀剂(photoresist)组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含感光性聚合物以及光酸产生剂，所述感光性聚合物包含聚合物链(polymer chain)及偶合到所述聚合物链的至少一个第一官能团。所述第一官能团具有由以下化学式1或以下化学式1-1表示的结构，

[化学式1]

[化学式1-1]

其中R₁为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且R₂为-H、-F、-Cl、-Br、碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个。R₅为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且X为-H、-F、-Cl、-Br、-I、-NH₂、-OH及卤化物(halide)中的一个。

本发明实施例还涉及一种形成精细图案的方法，所述方法包括：向衬底施加光致抗蚀剂组合物，以在所述衬底上形成光致抗蚀剂层，对所述衬底执行曝光工艺，以对所述光致抗蚀剂层的一部分进行曝光，以及对所述衬底执行显影工艺，以对所述光致抗蚀剂层进行图案化。所述光致抗蚀剂组合物可包含感光性聚合物以及光酸产生剂，所述感光性聚合物包含聚合物链及偶合到所述聚合物链的至少一个第一官能团。所述第一官能团可具有由以下化学式1或以下化学式1-1表示的结构，

[化学式1]

[化学式1-1]

其中R₁为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且R₂为-H、-F、-Cl、-Br、碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个。R₅为碳数为1至20的烷基及碳数为1至20的芳基中的一个，且X为-H、-F、-Cl、-Br、-I、-NH₂、-OH及卤化物中的一个。