[发明专利]用于制造半导体装置的设备在审
申请号: | 201711281205.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN107958861A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 胡广严;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 装置 设备 | ||
技术领域
本发明总体而言涉及半导体领域,具体而言,涉及用于制造半导体装置的设备。
背景技术
在半导体装置的制造过程中,很多工艺步骤都需要在一定的温度条件下进行。因此,用于制造半导体装置的设备通常具备对晶片进行加热的功能。但如果晶片加热的不均匀,即在晶片的不同部位之间存在温度差异,就会导致晶片发生变色,影响加工效果和成品质量。因此,有必要对用于制造半导体装置的设备采取一定改进,以避免对晶片加热不均匀导致的质量问题。
发明内容
本公开的一个目的是提供一种新颖的用于制造半导体装置的设备。
根据本公开的一个方面,提供了一种用于制造半导体装置的设备,所述设备包括:加热台,用于支撑并加热晶片;多个升降杆(lift pin),用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动,所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件;以及致动装置,设置为与所述多个升降杆耦接,以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。
在一个实施例中,所述设备还包括:真空腔,所述加热台和所述多个升降杆设置在所述真空腔内。
在一个实施例中,所述设备还包括:第一温度控制系统,配置为控制所述多个升降杆中的所述加热元件以使得所述多个升降杆保持在第一预定温度。
在一个实施例中,所述第一温度控制系统包括:第一温度传感器,设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度。
在一个实施例中,所述设备还包括:第二温度控制系统,配置为使得所述加热台保持在第二预定温度。
在一个实施例中,所述第二温度控制系统包括:第二温度传感器,设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度。
在一个实施例中,所述设备还包括:温度控制系统,所述温度控制系统包括:第一温度传感器,设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度;第二温度传感器,设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度;以及温度控制器,配置为基于所述第一温度传感器感测到的温度和所述第二温度传感器感测到的温度来控制所述多个升降杆中的所述加热元件,以使得所述多个升降杆与所述加热台保持在相同的温度。
在一个实施例中,所述致动装置包括:升降圈,与所述多个升降杆耦接以使得所述多个升降杆同步地运动。
在一个实施例中,所述致动装置还包括:驱动单元,设置在所述真空腔外部;气密伸缩单元,所述气密伸缩单元的上端密封连接在所述真空腔的底部,下端与所述驱动单元耦接;以及连接杆,所述连接杆的上端连接在所述升降圈的底部,下端穿过所述气密伸缩单元与所述驱动单元耦接;其中,所述气密伸缩单元用来在所述连接杆的运动过程中保持所述真空腔的气密性。
在一个实施例中,所述气密伸缩单元为弹性元件,并且在所述连接杆的运动过程中发生拉伸或压缩的形变。
在一个实施例中,所述驱动单元包括:驱动台,与所述连接杆的下端连接,并且与所述气密伸缩单元的下端密封连接;驱动杆,所述驱动杆的上端连接在所述驱动台的底部,下端与马达连接;以及马达,用于为所述驱动杆提供动力。
在一个实施例中,所述驱动单元还包括:支撑结构,所述支撑结构的上端连接在所述真空腔的底部并且包围所述气密伸缩单元和所述驱动台,其中所述驱动杆穿过所述支撑结构的底部。
在一个实施例中,所述加热台能够上下运动。
在一个实施例中,所述加热台和所述多个升降杆能够通过各自的上下运动与机械臂相互配合,实现对晶片的搬运操作。
在一个实施例中,所述机械臂是所述设备的一部分。
在一个实施例中,所述多个升降杆中的每个升降杆都包括顶部和杆体,其中,所述顶部的尺寸大于所述杆体的尺寸。
在一个实施例中,所述多个升降杆能够沉降得低于所述加热台的上表面。
在一个实施例中,所述多个升降杆沿着所述加热台的周向均匀布置。
在一个实施例中,所述多个升降杆包括呈正三角形布置的三根升降杆。
根据本公开的另一个方面,提供了一种半导体装置加工设备,所述半导体装置加工设备包括机械臂以及如前所述的用于制造半导体装置的设备。
通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述,本公开的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
构成说明书的一部分的附图描述了本公开的实施例,并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
参照附图,根据下面的详细描述,可以更加清楚地理解本公开,其中:
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