[发明专利]用于制造半导体装置的设备在审
申请号: | 201711281205.1 | 申请日: | 2017-12-07 |
公开(公告)号: | CN107958861A | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 胡广严;吴龙江;林宗贤 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体 装置 设备 | ||
1.一种用于制造半导体装置的设备,其特征在于,所述设备包括:
加热台,用于支撑并加热晶片;
多个升降杆,用于使所述晶片相对于所述加热台上下运动,所述多个升降杆中的每个升降杆都设置为穿过所述加热台并且具有加热元件;以及
致动装置,设置为与所述多个升降杆耦接,以使得所述多个升降杆能够相对于所述加热台上下运动。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:
真空腔,所述加热台和所述多个升降杆设置在所述真空腔内。
3.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:
第一温度控制系统,配置为控制所述多个升降杆中的所述加热元件以使得所述多个升降杆保持在第一预定温度。
4.根据权利要求3所述的设备,其特征在于,所述第一温度控制系统包括:
第一温度传感器,设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度。
5.根据权利要求4所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:
第二温度控制系统,配置为使得所述加热台保持在第二预定温度。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述第二温度控制系统包括:
第二温度传感器,设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度。
7.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:
温度控制系统,所述温度控制系统包括:
第一温度传感器,设置在所述多个升降杆中的每个升降杆中以用于感测所述多个升降杆的温度;
第二温度传感器,设置在所述加热台中以用于感测所述加热台的温度;以及
温度控制器,配置为基于所述第一温度传感器感测到的温度和所述第二温度传感器感测到的温度来控制所述多个升降杆中的所述加热元件,以使得所述多个升降杆与所述加热台保持在相同的温度。
8.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,所述致动装置包括:
升降圈,与所述多个升降杆耦接以使得所述多个升降杆同步地运动。
9.根据权利要求8所述的设备,其特征在于,所述致动装置还包括:
驱动单元,设置在所述真空腔外部;
气密伸缩单元,所述气密伸缩单元的上端密封连接在所述真空腔的底部,下端与所述驱动单元耦接;以及
连接杆,所述连接杆的上端连接在所述升降圈的底部,下端穿过所述气密伸缩单元与所述驱动单元耦接;
其中,所述气密伸缩单元用来在所述连接杆的运动过程中保持所述真空腔的气密性。
10.根据权利要求9所述的设备,其特征在于,所述气密伸缩单元为弹性元件,并且在所述连接杆的运动过程中发生拉伸或压缩的形变。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711281205.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造