[发明专利]TFT基板制作方法

说明书

本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：提供基板；在所述基板上依次成型保护层、铝薄膜及光阻层；图案化所述光阻层和所述铝薄膜；蚀刻所述保护层，所述保护层的边缘相对于所述铝薄膜的边缘内缩，以在所述铝薄膜和所述基板之间形成凹槽；在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上的第一功能膜层和位于所述基板表面的第二功能膜层，所述铝薄膜与所述第二功能膜层之间构成所述凹槽的开口；将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应，以使所述铝薄膜和所述光阻层脱离所述保护层。本发明能够提高显示面板的生产效率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管(TFT)基板的制作方法。

背景技术

在制作薄膜晶体管阵列基板(在本发明中称为TFT基板)的过程中，每一层结构的形成均需要通过一道光刻制程。一般而言，整个TFT基板的制程需要五道光罩(5mask)。然而，过多的光罩次数会增加制程成本，同时也会造成工序流程过长和良品率问题的累积，使生产效率大大降低。

为了缩减光罩数量，可以借助剥离(Lift-off)工艺将铟锡氧化物半导体透明导电膜(ITO层)和保护层(PV层)通过一道光罩同时形成，从而使得光罩总数减小至三道(3mask)。但是，在用剥离液去除光阻层的过程中，由于在光阻层上覆盖了一层薄膜，因此剥离液无法直接接触到光阻层，从而对去除光阻层及形成图案造成阻碍，进而阻碍了光刻制程，造成显示面板的生产效率降低。

发明内容

本发明提供了一种TFT基板制作方法，能够提高显示面板的生产效率。

本发明提供了一种TFT基板制作方法，包括以下的步骤：

提供基板；

在所述基板上依次成型保护层、铝薄膜及光阻层；

图案化所述光阻层和所述铝薄膜；

蚀刻所述保护层，所述保护层的边缘相对于所述铝薄膜的边缘内缩，以在所述铝薄膜和所述基板之间形成凹槽；

在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上的第一功能膜层和位于所述基板表面的第二功能膜层，所述铝薄膜与所述第二功能膜层之间构成所述凹槽的开口；

将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应，以使所述铝薄膜和所述光阻层脱离所述保护层。

其中，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤包括：

对所述光阻层喷晒显影液；

显影所述光阻层，以图案化所述光阻层及露出部分所述铝薄膜；

通过所述显影液去除露出所述光阻层的部分所述铝薄膜，以图案化所述铝薄膜。

其中，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤中，所述光阻层是负性光刻胶，所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液。

其中，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤包括：

对所述光阻层喷晒显影液；

显影所述光阻层，以图案化所述光阻层及露出部分所述铝薄膜；

采用酸性蚀刻液去除露出所述光阻层的部分所述铝薄膜，以图案化所述铝薄膜。

其中，在蚀刻所述保护层的步骤中，对所述保护层进行干刻处理。

其中，在对所述保护层进行干刻处理的步骤之后，所述铝薄膜包括相对所述保护层和所述光阻层凸出的凸出部。