[发明专利]TFT基板制作方法

权利要求书

1.一种TFT基板制作方法，其特征在于，包括以下的步骤：

提供基板；

在所述基板上依次成型保护层、铝薄膜及光阻层；

图案化所述光阻层和所述铝薄膜；

蚀刻所述保护层，所述保护层的边缘相对于所述铝薄膜的边缘内缩，以在所述铝薄膜和所述基板之间形成凹槽；

在所述基板上沉积功能膜层，所述功能膜层包括位于所述光阻层上的第一功能膜层和位于所述基板表面的第二功能膜层，所述铝薄膜与所述第二功能膜层之间构成所述凹槽的开口；

将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应，以使所述铝薄膜和所述光阻层脱离所述保护层。

2.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤包括：

对所述光阻层喷晒显影液；

显影所述光阻层，以图案化所述光阻层及露出部分所述铝薄膜；

通过所述显影液去除露出所述光阻层的部分所述铝薄膜，以图案化所述铝薄膜。

3.如权利要求2所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤中，所述光阻层是负性光刻胶，所述显影液为四甲基氢氧化铵溶液。

4.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在图案化所述光阻层和所述铝薄膜的步骤包括：

对所述光阻层喷晒显影液；

显影所述光阻层，以图案化所述光阻层及露出部分所述铝薄膜；

采用酸性蚀刻液去除露出所述光阻层的部分所述铝薄膜，以图案化所述铝薄膜。

5.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在蚀刻所述保护层的步骤中，对所述保护层进行干刻处理。

6.如权利要求5所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在对所述保护层进行干刻处理的步骤之后，所述铝薄膜包括相对所述保护层和所述光阻层凸出的凸出部。

7.如权利要求6所述的TFT基板制作方法，其特征在于，在将所述铝薄膜和所述光阻层设于剥离液中，所述剥离液通过所述凹槽的开口填充所述凹槽，并与所述铝薄膜反应的步骤中，所述剥离液腐蚀所述凸出部朝向所述基板的表面，以使所述铝薄膜从所述保护层上脱离，并使位于所述铝薄膜上的光阻层和所述第一功能膜层脱离所述保护层。

8.如权利要求7所述的TFT基板制作方法，其特征在于，所述剥离液为四甲基氢氧化铵溶液。

9.如权利要求1所述的TFT基板制作方法，其特征在于，所述功能膜层为ITO薄膜。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，提供基板的步骤包括：

在透明板上沉积栅极；

在所述透明板和栅极上沉积栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上成型半导体层和源漏极；

在所述栅极绝缘层、所述半导体层和所述源漏极上沉积保护层。