[发明专利]芯片的封装结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种芯片的封装结构及其制作方法。

背景技术

随着摄像等光影技术的发展，影像传感芯片作为可以将接收的光信号转换为电信号的功能芯片，常用于电子产品的摄像头中，有巨大的市场需求。与此同时，影像传感芯片的封装技术也有着长足发展，现今主流的影像传感芯片封装技术是晶圆级芯片尺寸封装技术(Wafer Level Chip Size Packaging，WLCSP)，是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品芯片尺寸与单个晶粒尺寸差不多，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。

随着技术发展，晶圆上集成的影像传感芯片越来越多，但是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品芯片的技术并不能满足芯片封装超薄的需要，为此，仍需对现有技术进行改进。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片的封装结构，该芯片的封装结构制造容易，能够实现超薄的厚度。

本发明的目的还在于提供一种芯片的封装结构的制作方法，该芯片的封装结构的制作方法制作效率高，而且工艺简单，能够使封装结构更薄。

为实现上述发明目的，本发明揭示了一种芯片的封装结构，包括：透光基板；待封装芯片，排布于透光基板上，具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括有感应区和第一焊垫，所述第一焊垫与所述感应区电耦合，所述第一表面朝向所述透光基板；塑封层，覆盖所述透光基板上未被所述待封装芯片占据的空间，所述塑封层的上表面与所述待封装芯片的第二表面相平；再布线层，设置于所述塑封层和所述待封装芯片的第二表面，至少用于电连接所述第一焊垫；电连接端子，设置在所述再布线层，所述电连接端子与所述再布线层电连接，且用于与外部电路电连接。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述待封装芯片的第一表面涂布有折射率低于1.4的低折射率材料层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述透光基板是玻璃基板，所述玻璃基板的厚度为100-200微米。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述再布线层和塑封层之间还具有绝缘层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述透光基板和所述待封装芯片之间还设置有透光粘合层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述透光粘合层是DAF膜、DF膜或者涂布的透光粘合材料。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述透光基板和待封装芯片之间形成有支撑结构，所述支撑结构和感应区之间具有空腔。

作为本发明一实施方式的进一步改进，热固性材料，在小于150℃的区间，CTE低于10ppm/℃。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述热固性材料是环氧塑封料。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述再布线层表面还设置有阻焊层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述再布线层经过埋孔电气延伸至所述待封装芯片的第一焊垫。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述电连接端子构造为焊接凸起或者平面焊垫

本发明还包括一种芯片的封装结构的制作方法，所述制作方法包括以下步骤：

提供透光基板；

提供切割好的待封装芯片，所述待封装芯片具有相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括有感应区和第一焊垫，所述第一焊垫与所述感应区电耦合，将待封装芯片的第一表面朝向所述透光基板排布；

在透光基板设置待封装芯片的一面施加塑封材料，使待封装芯片之间的空间被完全填充，并且待封装芯片的第二表面完全被塑封材料覆盖；

研磨塑封材料，露出待封装芯片；；

在露出的芯片表面以及与其共面的塑封材料表面上形成至少用于电气连接芯片的再布线层；

在所述再布线层上形成电连接端子。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述制作方法还包括在所述透光基板的一个表面上形成透光粘合层，将待封装芯片排布于透光粘合层上。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述制作方法还包括在将待封装芯片排布于透光粘合层前，在待封装芯片的第一表面涂布折射率小于1.4的低折射率材料层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述制作方法还包括在透光基板的一个表面形成支撑结构，将待封装芯片排布于支撑结构并且使支撑结构和感应区之间具有空腔。