[发明专利]一种LED芯片及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及LED技术领域，更具体地说，涉及一种LED芯片及其制造方法。

背景技术

LED凭借其诸多优点，正在快速发展。如图1所示，图1为一种常用的LED芯片的结构示意图，该LED芯片的制造流程如下：

1、干法蚀刻裸露N型氮化镓(mesa)101；

2、制作电流阻挡层(CBL)102；

3、制作透明导电层图形(TCL)103；

4、制作电极(Pad)104；

然而，发明人发现，采用目前的制作工艺制造的LED芯片中，需要先制作电流阻挡层102，然后再制作电极104，工艺流程较为复杂。并且该种工艺制作的LED电极要求电流阻挡层102的面积要大于电极104的面积，会影响LED芯片的发光亮度。除此，由于氮化镓101的材料折射率以及透明导电层图形103的材料折射率大于电流阻挡层102的材料折射率，又会导致该结构的出光效率较低。

因此，如何提供一种LED芯片及其制造方法，既能简化制作工艺，又能提高发光亮度和效率，是本领域技术人员亟待解决的一大技术难题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，既能简化制作工艺，又能提高发光亮度和效率。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种LED芯片，包括：

衬底；

外延层，所述外延层设置在所述衬底之上；

透明导电层，设置在所述外延层上；

电流阻挡层，设置在所述透明导电层上；

电极，设置在所述电流阻挡层上，且，所述电极在所述衬底上的投影面积大于所述电流阻挡层在所述衬底上的投影面积。

可选的：

所述电极至少包括Cr、Ni、Al、Ti、Pt、Au、Cu、Pb、Pd以及Fe中的一种或多种金属叠层。

可选的：

所述电流阻挡层至少包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铪、氟化镁、氧化钛的一种或多种叠层。

可选的：

所述外延层包括蓝宝石衬底层、N型氮化镓层、有源层以及P型氮化镓层中的一种或多种。

可选的：

所述透明导电层沿第一方向上的厚度为300-3000埃。

可选的：

所述电流阻挡层沿所述第一方向上的厚度为100-5000埃。

可选的：

沿第二方向，所述电极的宽度大于所述电流阻挡层的宽度1-10微米。

可选的：

所述外延层的表面刻蚀有预设图形，所述图形的台阶深度为0.5-3微米。

一种LED芯片的制造方法，包括:

可选的：

采用溅镀工艺形成所述电极的底层金属。

与现有技术相比，本发明所提供的技术方案具有以下优点：

本发明提供了一种LED芯片，包括：外延层、透明导电层、电流阻挡层以及电极，其中，外延层置于衬底之上，透明导电层设置在外延层上。电流阻挡层设置在透明导电层上，电极设置在电流阻挡层上，且，电极的面积大于电流阻挡层的面积。相较传统结构，本设计方案电流阻挡层面积小于电极面积，避免了低折射率电流阻挡层夹在高折射率的氮化镓与透明导电层之间而影响光出射效率，能够提升LED芯片外量子效率。同时由于电流阻挡层图形与电极图形相近，可以使用多层沉积的方式实现电极与电流阻挡层同一道光刻制作图形，降低LED芯片的制造成本。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为常规正装结构LED芯片的横截面示意图；

图2为本实施例提供的一种LED芯片的结构示意图；

图3为本实施例提供的一种LED芯片的横截面电流流向示意图；

图4为本实施例提供的一种LED芯片的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。