[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，将在正面上由多条分割预定线划分为多个器件的晶片高效地分割成各个器件而不使器件品质降低。该方法包含如下工序：保护部件配设工序，在晶片(10)的正面(10a)上配设保护部件(保护带16)；背面磨削工序，对晶片的背面(10b)进行磨削而使晶片薄化；框架支承工序，将保护部件从晶片的正面剥离，在晶片的正面上粘贴粘合带(T)，并且将粘合带的外周粘贴在具有收纳晶片的开口部的环状框架(F)上，从而借助粘合带而利用环状框架进行支承；切削槽形成工序，从晶片的背面与分割预定线(12)对应地定位切削刀具(33)而形成未达到正面的切削槽；切断工序，从晶片的背面沿着切削槽(100)照射激光光线而将分割预定线完全切断；和拾取工序，从粘合带拾取各个器件芯片(14)。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将由多条分割预定线划分为多个器件的晶片分割成各个器件。

背景技术

通过具有切削刀具的切割装置将由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片分割成各个器件芯片，器件芯片被应用于移动电话、个人计算机等电子设备。

近年来，公知有为了实现器件的高速化而在硅晶片等半导体基板的正面上形成多层低介电常数绝缘膜(所谓Low-k膜)来作为层间绝缘膜从而形成作为IC、LSI的功能层。这里，由于Low-k膜形成于晶片的正面侧整体，所以也会层叠在分割预定线上，当利用切削刀具将该晶片切断时Low-k膜会像云母那样剥离，存在器件的品质降低的问题。

因此，提出并已实用化了如下的方法：从晶片的正面侧照射激光光线而沿着分割预定线将Low-k膜去除，将切削刀具定位在该去除后的区域而进行切割，从而分割成各个器件芯片(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2005-064231号公报

根据上述的专利文献1所记载的加工方法，虽然能够解决在通过直接切割将Low-k膜去除的情况下产生的问题，但为了超过切削刀具的宽度地将Low-k膜从间隔道上去除以使得切削刀具不与Low-k膜接触，需要在分割预定线上形成至少两条激光加工槽，存在生产性较差的问题。

此外，在实施上述的专利文献1所记载的加工方法的期间，例如，明确了存在以下那些问题。

(1)即使实施对晶片的正面侧照射激光光线而将Low-k膜去除的激光切槽加工，当Low-k膜的去除不充分时，有时也产生之后实施的切割时的切削刀具的偏移或倾倒，有时该切削刀具会出现不均匀磨损。

(2)当从晶片的正面侧进行激光切槽时，因所谓碎屑飞散而使器件的品质降低，因此为了防止该情况而产生了另外涂布保护膜的需要，生产性降低。

(3)通过多次照射激光光线，可能会在晶片上残留热应变而导致器件的抗折强度的降低。

(4)由于将激光加工槽形成得较宽以便超过切削刀具的宽度，所以需要宽度较宽的间隔道，用于形成器件的区域被压迫，器件的获取个数减少。

(5)在Low-k膜的上表面上，具有用于保护内部不接触外界的水分、金属离子的由SiN或SiO2构成的钝化膜，当从晶片的正面侧照射激光光线时，透过该钝化膜对Low-k膜进行加工，在Low-k膜上产生的热量无法散发，Low-k膜发生剥离等，加工在横向上变宽(也被称为“底切”)，成为使器件的品质降低的主要原因。

发明内容

因此，本发明的目的在于，提供晶片的加工方法，能够在晶片的正面上层叠多层层间绝缘膜而形成功能层，并且将由多条分割预定线划分为多个器件的晶片高效地分割成各个器件芯片而不使器件的品质降低。