[发明专利]半导体器件及其操作方法

说明书

一种半导体器件包括：第一非易失性存储区至第N非易失性存储区，每个非易失性存储区包括位于行线与列线之间的交叉点处的多个单元；储存电路，包括适用于储存从第一非易失性存储区至第N非易失性存储区传输来的数据的多个单元锁存器；以及操作控制电路，适用于在断裂模式期间，控制第一操作模式至第N操作模式的设置信息分别被编程在第一非易失性存储区至第N非易失性存储区中，以及在启动模式期间，控制从第一非易失性存储区传输来的数据被写入在单元锁存器中，并且响应于操作模式改变请求，控制从第二非易失性存储区至第N非易失性存储区中的一个非易失性存储区传输来的数据被重写在单元锁存器中。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年9月30日提交的申请号为10-2016-0126181的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及半导体设计技术，更具体地，涉及将数据从非易失性存储区传输到锁存电路的半导体器件以及用于操作半导体器件的方法。

背景技术

半导体器件使用非易失性存储器来储存针对各种内部控制操作的信息(诸如设置信息和修复信息)。熔丝被广泛用作非易失性存储器。熔丝被激光切割以储存数据。熔丝可以在晶圆状态被编程。一旦将晶圆安装在封装体内，就不可能对熔丝进行编程。即使在封装阶段之后，也建议对电熔丝进行编程。电熔丝通过改变晶体管的栅极与漏极/源极之间的电阻来储存数据。

电熔丝的数据可以在不执行感测操作的情况下通过电熔丝的大尺寸晶体管来识别，或者通过电熔丝的小尺寸晶体管和用于感测流过晶体管的电流的放大器来识别。两个上述方案在面积方面具有局限性，前者是因为形成电熔丝的晶体管必须被设计成大尺寸，而后者是因为每个电熔丝必须被提供有放大器。

近来，建议使用阵列电熔丝以克服电熔丝的面积限制。当电熔丝以阵列的形式来实现时，电熔丝可以共享用于放大其数据的放大器，从而减少电熔丝所占用的总面积。

阵列电熔丝需要执行将其熔丝数据储存到锁存电路中的启动操作。通常，阵列电熔丝的电熔丝的数量分别对应于锁存电路中包括的单元锁存器的数量。在启动操作期间，阵列电熔丝的电熔丝将熔丝数据传输到锁存电路。在启动操作完成之后，半导体器件可以基于储存在锁存电路中的数据建立内部电路并且执行正常操作。

如果从控制器输入用于改变操作模式的请求，则半导体器件可能必须用与所请求的操作模式相对应的设置值重新设置内部操作信息(例如，内部电压修整电平信息、偏置信息、频率信息、延迟调谐信息等)。半导体器件可以将针对半导体器件的每个所请求的操作模式的优化设置值储存在阵列电熔丝中，并且通过使用储存的设置值而根据所请求的操作模式来改变设置值。然而，由于用于储存在启动操作期间从阵列电熔丝传输来的熔丝数据的锁存电路的单元锁存器的数量增加，所以由锁存电路占用的总面积增加。

发明内容

本发明的实施例涉及一种半导体器件，其包括用于储存从非易失性存储区传输来的操作模式的设置信息的锁存电路，并且每当操作模式被改变时，将用于对应的操作模式的设置信息重写在锁存电路中。

根据本发明的实施例，半导体器件包括：第一非易失性存储区至第N非易失性存储区，每个非易失性存储区包括位于行线与列线之间的交叉点处的多个单元；储存电路，包括适用于储存从第一非易失性存储区至第N非易失性存储区传输来的数据的多个单元锁存器；以及操作控制电路，适用于在断裂模式期间，控制第一操作模式至第N操作模式的设置信息分别被编程在第一非易失性存储区至第N非易失性存储区中，以及在启动模式期间，控制从第一非易失性存储区传输来的数据被写入在单元锁存器中，以及响应于操作模式改变请求，控制从第二非易失性存储区至第N非易失性存储区中的一个非易失性存储区传输来的数据被重写在单元锁存器中。