[发明专利]一种提高NAND flash读速度的方法及装置

权利要求书

1.一种提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：通过以下系统实现，该系统包括NAND控制系统和重读模块，NAND控制系统包括NAND控制器和寄存器，NAND控制器内设置纠错模块，重读模块内置重读命令序列，纠错模块和寄存器通过逻辑与运算器连接至选择器，重读模块通过选择器连接至NAND控制器；工作时，由CPU配置寄存器，决定是否使能自动重读功能；如果不使能，则不开启重读模块；纠错模块发生错误溢出时，产生中断，由CPU控制整个系统向寄存器重新写入新的命令；如果使能自动重读功能，发生错误溢出时，NAND控制系统从重读模块读入重读命令序列，开始重读，当前页数据全部正确读出或读失败，结束重读过程，重读模块向寄存器中写入重读结果中断位、重读成功的参数，之后CPU控制整个系统进行后续处理。

2.根据权利要求1所述的提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：所述重读模块还包括地址生成模块、命令生成模块和SRAM模块，地址生成模块的输入端与NAND控制器相连，用于接收NAND控制器传过来的info信号；命令生成模块的输入端与地址生成模块的输出端相连，用于接收地址生成模块输出的地址参数；重读命令序列中存放重读命令，并且重读命令序列的输入端与命令生成模块的输出端相连，用于接收更新重读命令的信息，重读命令序列的输出端连接NAND控制器，用于向NAND控制器输出重读命令序列；SRAM模块由CPU访问配置重读参数，并且SRAM模块的输出端与命令生成模块相连，用于向命令生成模块传输重读参数。

3.根据权利要求2所述的提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：工作时，CPU初始化配置存放重读参数的SRAM、配置重读命令序列、配置NAND控制系统中的寄存器，决定是否开启重读模块；重读模块被开启时，重读模块各部分的操作为：1、地址生成模块接收NAND控制器写入的当前页地址、当前页需要读出的数据长度、成功读出的数据长度以及数据缓存区的起始地址；然后地址生成模块输出当前操作页的重读地址、地址缓存区的新起始地址和剩余需要读出的数据长度；2、命令生成模块检测到地址生成模块输出有变，则将地址生成模块的输出信息更新到命令序列中；3、命令生成模块检测到CPU访问了SRAM，则重新读取SRAM，更新参数，写入命令序列中。

4.根据权利要求3所述的提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：命令生成模块按地址从低到高的顺序，依次读取SRAM中的参数。

5.根据权利要求3所述的提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：重读模块没有开启时，命令生成模块始终读取SRAM最低地址所存放的参数并写入命令序列中；CPU根据上次重读结果，选择最优参数，随时更新SRAM，命令生成模块实时更新命令序列中的参数，为下次重读做准备。

6.根据权利要求2所述的提高NAND flash读速度的方法，其特征在于：本方法实现自动重读的步骤为：1、 CPU在寄存器中开启了自动重读功能；

2、当前是读操作，发生错误溢出，启动重读，NAND控制系统进行软复位，NAND控制系统从重读模块中的重读命令序列中读入所有命令序列并执行；

3、重读模块检测到NAND控制系统访问了重读命令序列，从SRAM读出第二条参数，更新命令序列；

4、地址生成模块根据NAND控制系统传来的信号，重新计算输出的信号；同时命令生成模块检测到地址生成模块的输出变化了，更新命令序列中的内容；

5、命令生成模块检测到地址生成模块输出的剩余需要读出数据长度为0时，复位读SRAM的地址，从最低地址读出参数，更新命令序列，至此完成一页的重读，向中断寄存器中写入重读成功中断、重读成功的参数；

6、在执行步骤5的过程中，如果第一条参数对应的重读命令失败，再次发生错误溢出，重复步骤2-5；但是在执行步骤3时，依次从SRAM读出第三条参数，直到读到最后一条；

7、如果SRAM中所有参数均没有成功读出该页，则结束重读，向中断寄存器中写入重读失败中断、重读成功的参数。