[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201710368883.5 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108122753B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 刘季康;吴松勋;林志忠;叶明熙;林焕哲 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/311 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
为图案化栅极，先沉积芯材并图案化芯材。在一实施例中，上述图案化芯材的方法为进行第一蚀刻工艺以得粗略的目标，接着进行蚀刻参数不同的第二蚀刻工艺以得精确的目标。芯之后可用于形成间隔物，且间隔物接着可作为图案化栅极的掩模。
技术领域
本公开实施例涉及半导体装置的形成方法，更特别涉及以参数不同的两道蚀刻工艺进行图案化。
背景技术
半导体装置已用于多种电子应用中，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板上，以及以光刻及蚀刻工艺图案化多种材料层，即形成电路构件与单元于半导体基板上。
半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容、与类似物的集成密度，使固定面积得以整合更多构件。然而在缩小最小结构尺寸时，每一工艺中的额外问题也随之产生，因此需解决这些额外问题。
发明内容
本公开一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成虚置材料于硬掩模上；以第一蚀刻工艺蚀刻虚置材料；以及依据第一蚀刻工艺的结果，以第二蚀刻工艺蚀刻虚置材料，其中第二蚀刻工艺与第一蚀刻工艺具有至少一不同的工艺参数。
附图说明
图1A与图1B是一些实施例中，位于栅极上的芯材的附图。
图2是一些实施例中，进行第一蚀刻工艺以蚀刻芯材的附图。
图3是一些实施例中，进行第二蚀刻工艺以蚀刻芯材的附图。
图4是一些实施例中，形成间隔物与移除芯材的附图。
图5是一些实施例中，放置光致抗蚀剂的附图。
图6是一些实施例中，图案化硬掩模的附图。
图7是一些实施例中，放置光致抗蚀剂的附图。
图8A与图8B是一些实施例中，图案化栅极的附图。
图9是另一实施例中，采用不同深度的多重隔离区的附图。
附图标记说明：
D1 第一距离
D2 第二距离
D3 第三距离
D4 第四距离
MS 芯间隔
SS 间隔物间隔
W1 第一宽度
W\ 第二宽度
W3 第三宽度
W4 第四宽度
W5 第五宽度
101 基板
103 第一沟槽
105 第一隔离区
107 鳍状物
109 栅极介电材料
111 栅极材料
113 第一硬掩模
115 第二硬掩模
117 芯材
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
