[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一虚置材料于一硬掩模上；

放置一第一光致抗蚀剂于该虚置材料上；

图案化该第一光致抗蚀剂以形成一第一图案化的光致抗蚀剂，其中该第一图案化的光致抗蚀剂具有一第一宽度；

测量该第一图案化的光致抗蚀剂的该第一宽度，以产生一第一测量值；

依据该第一图案化的光致抗蚀剂的该第一宽度的该第一测量值，设定一第一蚀刻工艺的工艺参数；

采用该第一蚀刻工艺与该第一图案化的光致抗蚀剂蚀刻该虚置材料以形成一第一芯，其中该第一蚀刻工艺为非等向蚀刻工艺，其中该第一蚀刻工艺形成的该第一芯具有一第二宽度，且该第二宽度小于该第一宽度；

在采用该第一蚀刻工艺蚀刻该虚置材料之后，移除该第一图案化的光致抗蚀剂；

测量该第一芯的该第二宽度以产生一第二测量值；

依据该第一芯的该第二宽度的测量值，设定一第二蚀刻工艺的工艺参数；

在移除该第一图案化的光致抗蚀剂之后，以该第二蚀刻工艺蚀刻该第一芯，其中该第二蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺具有至少一不同的工艺参数，其中该第二蚀刻工艺与该第一蚀刻工艺的蚀刻速率不同，其中该第二蚀刻工艺形成的该第一芯具有一第三宽度，其中该第二蚀刻工艺为非等向蚀刻工艺，其中该第一图案化的光致抗蚀剂的移除工艺不同于该第一蚀刻工艺与该第二蚀刻工艺；

测量该第一芯的该第三宽度；

在以该第二蚀刻工艺蚀刻该虚置材料后，形成一间隔物以与该虚置材料相邻；

在形成该间隔物后，移除该虚置材料；

在移除该虚置材料后，蚀刻该硬掩模；以及

在蚀刻该硬掩模后，采用该硬掩模并蚀刻一栅极材料，其中在蚀刻该栅极材料期间，该间隔物位于该硬掩模上。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括采用氢氟酸作为蚀刻剂以移除该虚置材料，其中该虚置材料包括硅。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该间隔物具有一第四宽度，且该第四宽度与该第三宽度相同。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在蚀刻该硬掩模之前，形成一第二光致抗蚀剂于该硬掩模上；

在蚀刻该硬掩模之后与蚀刻该栅极材料之前，移除该第二光致抗蚀剂；以及

在蚀刻该栅极材料之前，形成一第三光致抗蚀剂于该硬掩模上，其中该栅极材料位于一鳍状物上，且该鳍状物包括半导体材料。

5.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，还包括：

形成自一基板延伸的多个第一鳍状物，且所述多个第一鳍状物包括该鳍状物；以及

形成自该基板延伸的多个第二鳍状物，一第一隔离区位于所述多个第一鳍状物的每一者之间，一第二隔离区位于所述多个第一鳍状物与所述多个第二鳍状物之间，且该第二隔离区的高度大于该第一隔离区的高度。

6.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中蚀刻该硬掩模之后，该硬掩模的一第一侧壁与该第二光致抗蚀剂相邻，且其中该第三光致抗蚀剂物理接触该硬掩模的该第一侧壁与上表面。

7.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中该第二光致抗蚀剂与该第三光致抗蚀剂不位于与该鳍状物的上表面垂直的方向中的该鳍状物上。