[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

提供改质基板的方法与材料组成。图案化基板以包含多个结构。结构包含第一子集，其具有一或多个实质上钝性的表面。在多种实施例中，沉积底漆材料于基板上、结构上、以及实质上钝性的表面上。举例来说，沉积的底漆材料至少键合至实质上钝性的表面。此外，沉积的底漆材料提供改质的基板表面。在沉积底漆材料后，旋转涂布层状物于改质的基板表面上，其中旋转涂布的层状物实质上平坦。

技术领域

本发明实施例关于半导体装置，更特别关于改质基板的方法与材料。

背景技术

电子产业对较小与较快的电子装置的需求增加，且电子装置同时提供大量的复杂功能。综上所述，半导体产业的持续趋势为制作低成本、高效能、与低能耗的集成电路。通过缩小半导体的集成电路尺寸(如最小结构尺寸)可达这些远程目标，进而改良产能与降低相关成本。然而缩小尺寸也会增加集成电路制程的复杂性。为了实现半导体集成电路与装置单元的持续进展，需要在半导体制程与技术上具有类似进展。

在一例中，缩小集成电路尺寸的方法可采用较薄的光阻膜与多层的硬掩模堆叠。举例来说，在部份的光微影制程中达到所需的解析度时，多层硬掩模可用以提供所需的深宽比。在多种例子中，多层硬掩模可包含碳底层如旋转涂布碳层，其上可沉积硅硬掩模如旋转涂布玻璃层。薄光层可沉积于硅硬掩模上，其可用以图案化硅硬掩模(比如以曝光、显影、与蚀刻等制程)。接着可采用图案化的硅硬掩模图案化下方的旋转涂布碳层(比如以蚀刻制程)。

然而在多种例子中，多层硬掩模(如旋转涂布碳与旋转涂布玻璃)的沉积一致性，大幅取决于其沉积的基板的特性。此外，进阶的半导体制程技术在制程中采用多种制程与结构。如此一来，在半导体制程中的任一时点，基板表面可包含多种材料种类(如疏水、亲水、钝性)及/或复杂结构(如立体的鳍状场效晶体管结构等等)，其具有不同的表面特性。如此一来，旋转涂布于多种特性的基板上的层状物(如旋转涂布碳与旋转涂布玻璃)具有低一致性与低平坦性。因此现有技术无法完全适用于所有方向。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：图案化基板，以包含多个结构，其中结构包含第一子集，其具有一或多个实质上钝性的表面；沉积底漆材料于基板上、些结构上、以及实质上钝性的表面上，其中沉积的底漆材料至少键合至实质上钝性的表面，且沉积的底漆材料提供改质的基板表面；以及在沉积底漆材料后，旋转涂布层状物于改质的基板表面上，其中旋转涂布的层状物实质上平坦。

附图说明

图1A一些实施例中，具有多个结构的基板，其表面具有多种特性。

图1B形成于多种结构上的层状物，且层状物具有低一致性与低平坦性。

图2多种实施例中，用以改质基板的方法200的流程图。

图3A一些实施例中，具有多个结构形成于基板上的装置的剖视图。

图3B一些实施例中，具有底漆材料沉积于多个结构上的装置的剖视图。

图3C一些实施例中，具有层状物沉积于多个结构上的装置的剖视图，且底漆材料位于层状物与多个结构之间。

图4A与4B一些实施例中，以底漆材料涂布基板与结构的第一沉积方法。

图5A、5B、5C、与5D一些实施例中，以底漆材料涂布基板与结构的第二沉积方法。

图6A与6B一些实施例中，以底漆材料涂布基板与结构的第三沉积方法。

图7一些实施例中，沉积于表面上的底漆材料的详图，且底漆材料包含多个单体或寡聚物。

图8一些实施例中，沉积于表面上的底漆材料的详图，且底漆材料包含聚合物。

图9A、9B、9C、9D、9E、9F、9G、9H、9I、9J、与9K多种实施例中，底漆材料与螯合官能基的结构。

【符号说明】