[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

图案化一基板，以包含多个结构，其中该些结构包含具有一或多个实质上钝性的表面的一第一子集、具有一或多个亲水性的表面的一第二子集、及具有一或多个疏水性的表面的一第三子集中至少两者；

沉积一底漆材料于该基板上，包含于该些结构上、以及该或该些实质上钝性的表面、该或该些亲水性的表面、及该或该些疏水性的表面中至少两者上，其中该底漆材料包括螯合的官能基，沉积的该底漆材料至少键合至该或该些实质上钝性的表面、该或该些亲水性的表面、及该或该些疏水性的表面中的至少两者，且沉积的该底漆材料提供一改质的基板表面；以及

在沉积该底漆材料后，旋转涂布一层状物于该改质的基板表面上，其中旋转涂布的该层状物实质上平坦。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该些结构的该第一子集包括金属层、氮化物层、或上述的组合。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该螯合的官能基具有CO、CN-、C₆H₅-、NO₂、酚、胺、吡啶、二吡啶、OCCO、NH₃、-OH、与COOH中至少一者。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中旋转涂布的该层状物包含旋转涂布碳层。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括在沉积该底漆材料之后以及在旋转涂布该层状物于该改质的基板表面上之前，将该底漆材料暴露至酸性条件、碱性条件、紫外线硬化条件、与热处理条件中至少一者以活化该底漆材料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中沉积的该底漆材料包含键合至一或多个实质上钝性表面的一第一官能基，以及提供该改质的基板表面的一第二官能基。

7.根据权利要求6所述的半导体装置的形成方法，还包括在沉积该底漆材料之后，旋转涂布该层状物于该改质的基板表面上，其中旋转涂布的该层状物键合至该第二官能基。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中该第一官能基与该第二官能基相同。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的形成方法，其中该第一官能基与该第二官能基不同。

10.一种半导体装置的形成方法，包含：

图案化一基板以包含多个结构，其包含的一第一子集具有一第一表面，且一第二子集具有一第二表面，其中该第一表面的第一表面特性不同于该第二表面的第二表面特性；

沉积一螯合材料于该基板以及该些结构的该第一子集与该第二子集上，其中沉积的该螯合材料至少键合至该第一表面与该第二表面，以提供涂有一底漆的一基板表面；以及

在沉积该螯合材料之后，沉积一旋转涂布碳层于涂有该底漆的该基板表面上，其中该旋转涂布碳层实质上平坦。

11.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，还包括：

图案化该基板以包含该些结构，其包含一第三子集，该第三子集包含一第三表面，其中该第三表面的第三表面特性不同于第一表面特性与第二表面特性；以及

沉积该螯合材料于该基板及该些结构的该第三子集上，其中沉积的该螯合材料至少键合至该第三表面以提供涂有该底漆的该基板表面。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中该第一表面包括实质上钝性的表面，该第二表面包括亲水性表面，且该第三表面包括疏水性表面。

13.根据权利要求10所述的半导体装置的形成方法，还包括图案化该基板以包含一第四子集，且该第四子集具有该第一表面与该第二表面的组合。