[发明专利]一种类岛状电子传输的薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201710367112.4 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN107425049A | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 宁洪龙;曾勇;姚日晖;郑泽科;章红科;徐苗;王磊;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/221;H01L29/227;H01L29/24;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司44245 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种类 电子 传输 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
1.一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，由衬底上依次设置的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极构成；其特征在于：所述有源层为非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜组成的叠层结构，其中低载流子浓度材料薄膜连接相邻两个类岛状TCO薄膜，形成一个导电通道。
2.根据权利要求1所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，其特征在于：所述类岛状TCO薄膜的材料为氧化锌或掺杂氧化锌、氧化铟或掺杂氧化铟。
3.根据权利要求2所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，其特征在于：所述掺杂氧化锌是指掺铝氧化锌，所述掺杂氧化铟是指掺锡氧化铟。
4.根据权利要求1所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管，其特征在于：所述低载流子浓度材料为Al2O3、Ga2O3或HfO2。
5.权利要求1～4任一项所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)室温下在衬底上用直流磁控溅射沉积栅极；
(2)通过阳极氧化将栅极表面氧化，得到栅极绝缘层；
(3)室温下通过脉冲激光沉积的方法在栅极绝缘层上表面依次溅射非连续的类岛状TCO薄膜和低载流子浓度材料薄膜，得到有源层；
(4)室温下用蒸镀方式沉积源漏电极。
6.根据权利要求5所述的一种类岛状电子传输的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于步骤(3)中所述脉冲激光沉积的条件为：本底真空度为9×10-7Torr，采用KrF准分子激光并在波长为248nm、频率为5Hz的条件下制备。
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