[发明专利]间隔物整合的方法及所产生的装置

说明书

本发明涉及间隔物整合的方法及所产生的装置，所提供的是一种就SG与EG结构以相异宽度形成匹配的PFET/NFET间隔物的方法、及一种就SG NFET与SG PFET结构及PFET/NFET EG结构形成相异宽度氮化物间隔物的方法、以及其各别产生的装置。具体实施例包括提供PFET SG与EG结构及NFET SG与EG结构；在衬底上方形成第一氮化物层；形成氧化物衬垫；在PFET及NFET EG结构的侧壁上形成第二氮化物层；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在PFET SG与EG结构上方的水平部分；在各PFET SG与EG结构的对立侧上形成RSD结构；移除第一氮化物层及氧化物衬垫在NFET SG与EG结构上方的水平部分；以及在各NFET SG与EG结构的对立侧上形成RSD结构。

技术领域

本发明是关于p型场效应晶体管(PFET)及n型场效应晶体管(NFET)核心装置(SG)与I/O装置(EG)间隔物整合。本发明尤其是，适用于完全耗尽型绝缘体上硅(FDSOI)装置及/或需要隆起源极/漏极(RSD)外延的任何技术。

背景技术

EG装置需要更厚的间隔物才能通过标准可靠度要求。不过，SG装置上希望薄间隔物以维持标准效能准则。典型的双RSD整合凭靠添加的NFET/PFET间隔物以阻绝不希望的外延(epi)生长。然而，具有更厚间隔物的装置通常影响到效能。具体而言，高RSD/栅极电容使Fmax降低。已知的方法涉及使用多重间隔物材料来强制RSD外延刻面；在所有装置上使用更厚的间隔物而牺牲SG效能；或添加另两个间隔物、屏蔽层、及外延步骤以支撑NFET及PFETEG装置。另一种已知方法涉及形成氮化物/氧化物间隔物合夹，其由于使用例如多重外延预清洁的数个氧化物消耗步骤而难以控制。

因此，需要能以匹配的NFET/PFET间隔物宽度使SG效能与EG可靠度达到平衡的方法、能在FDSOI上以不同间隔物厚度形成SG NFET、SG PGET、及EG NFET与PFET装置的方法、以及其产生的装置。

发明内容

本发明的一态样是一种就SG与EG栅极结构以相异宽度形成匹配的PFET/NFET间隔物的程序。

本发明的另一态样是一种就该SG与EG栅极结构以相异宽度包括匹配的PFET/NFET间隔物的装置。

本发明的再一态样是一种分别就NFET SG栅极结构、PFET SG结构、及PFET/NFETEG栅极结构形成相异宽度氮化物间隔物的程序。

本发明的一附加态样是一种就NFET SG栅极结构、PFET SG结构、及PFET/NFET EG栅极结构具有各别氮化物间隔物宽度的FDSOI高k金属栅极(HKMG)装置。

本发明的附加态样及其它特征将会在以下说明中提出，并且对于审查以下内容的所属领域技术人员部分将会显而易见，或可经由实践本发明来学习。可如随附权利要求书中特别指出的内容来实现并且获得本发明的优点。

根据本发明，可通过一种方法来达到一些技术功效，该方法包括：在衬底上提供PFET SG与EG栅极结构及NFET SG与EG栅极结构，该PFET及NFET结构侧向隔开；在该衬底上方形成第一保形氮化物层；在该衬底上方形成氧化物衬垫；在该PFET及NFET EG栅极结构的侧壁上形成第二保形氮化物层；移除该第一氮化物层及该氧化物衬垫在该PFET SG与EG栅极结构及衬底上方的水平部分；在各该PFET SG与EG栅极结构的对立侧上形成RSD结构；移除该第一氮化物层及该氧化物衬垫在该NFET SG与EG栅极结构及衬底上方的水平部分；以及在各该NFET SG与EG栅极结构的对立侧上形成RSD结构。