[发明专利]适应性模制引线框封装件及相关方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，包括：

至少一个半导体器件，位于引线框岛状件上；

第一至少一个引线，在所述半导体封装件的第一侧处终止，并且向所述至少一个半导体器件的至少一个端子提供第一电连接；

第二至少一个引线，从所述半导体封装件的第二侧突出，并且向所述至少一个半导体器件的至少一个端子提供第二电连接；以及

连续导电结构，被配置为通过所述引线框岛状件在所述第一至少一个引线、所述第二至少一个引线与所述至少一个半导体器件的所述至少一个端子之间提供导电路径，其中沿着所述第一至少一个引线终止所处的所述半导体封装件的所述第一侧的长度的位置从沿着所述第二至少一个引线突出所处的所述半导体封装件的第二侧的长度的位置偏移，使得所述连续导电结构关于在垂直于所述半导体封装件的所述第一侧和所述半导体封装件的所述第二侧的方向上平分所述连续导电结构的轴不对称。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述半导体封装件被配置为能够改变为单列直插(SIP)封装件的双列直插(DIP)封装件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述半导体封装件包括单列直插(SIP)封装件。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括设置在所述第一至少一个引线的表面上的绝缘盖状件。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述至少一个半导体器件是选自由以下部件组成的组中的功率开关：

功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；

绝缘栅型双极晶体管(IGBT)；

高电子迁移率晶体管(HEMT)；以及

二极管。

6.根据权利要求5所述的半导体封装件，其中所述高电子迁移率晶体管包括氮化镓(GaN)或碳化硅高电子迁移率晶体管中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述至少一个半导体器件耦合至位于另一连续导电结构上的驱动器集成电路(IC)。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述半导体封装件包括表面安装器件(SMD)封装件。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述至少一个半导体器件是第一功率开关，所述半导体封装件还包括：

第二功率开关和第三功率开关，每个功率开关均位于所述引线框岛状件上，其中所述第一功率开关、所述第二功率开关和所述第三功率开关中的每个功率开关以如下方式位于所述引线框岛状件上：使得所述连续导电结构对应于用于所述第一功率开关、所述第二功率开关和所述第三功率开关中的每个功率开关的电源节点。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述至少一个半导体器件是第一半导体器件，所述引线框岛状件是第一引线框岛状件，并且所述连续导电结构是第一连续导电结构，所述半导体封装件还包括：

第二半导体器件，位于第二引线框岛状件上；

第四引线，在所述半导体封装件的所述第一侧处终止，并且向所述第二半导体器件的端子提供第一电连接；

第五引线，从所述半导体封装件的所述第二侧突出，并且向所述第二半导体器件的端子提供第二电连接；以及

第二连续导电结构，被配置为通过所述第二引线框岛状件在所述第四引线、所述第五引线与所述第二半导体器件的端子之间提供导电路径，其中沿着所述第四引线终止所处的所述半导体封装件的第一侧的长度的位置从沿着所述第五引线突出所处的所述半导体封装件的第二侧的长度的位置偏移，使得所述第二连续导电结构关于在垂直于所述半导体封装件的第一侧和所述半导体封装件的第二侧的方向上平分所述连续导电结构的轴不对称。