[发明专利]一种晶圆级封装结构的制备方法及晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供集成有多颗芯片的第一晶圆，其中，所述第一晶圆包括形成有多个凸点的正面以及相对于所述正面的背面，所述凸点与对应的芯片电连接；

对所述第一晶圆进行临时键合；

沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，且至少刻蚀至键合界面；

对所述第一晶圆进行解键合，形成单颗芯片。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，对所述第一晶圆进行临时键合，包括：

采用激光键合方式、机械键合方式或紫外键合方式，将所述第一晶圆承载至第二晶圆。

3.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，在沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀之前，还包括：

去除所述第一晶圆背面的部分材料，以使所述第一晶圆减薄至目标厚度。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，所述目标厚度为50-300μm。

5.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一晶圆正面与所述凸点之间设置有氧化层，所述凸点正下方的氧化层区域开有凹槽，露出所述第一晶圆中的焊盘，所述凸点通过所述焊盘与对应的芯片电连接；

沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行刻蚀，包括：

沿所述第一晶圆背面的切割道设定位置对所述第一晶圆进行第一次刻蚀，形成垂直直角沟槽；

沿所述垂直直角沟槽对所述第一晶圆进行第二次刻蚀，形成第一倒角并露出所述氧化层；

沿所述垂直直角沟槽对所述氧化层进行刻蚀，形成第二倒角，以在所述单颗芯片正面的四周形成倒角。

6.根据权利要求5所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，还包括：

所述垂直直角沟槽的开口宽度大于或等于7μm。

7.根据权利要求1所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，在对所述第一晶圆进行解键合之前，还包括：

在所述第一晶圆背面贴膜。

8.根据权利要求7所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，在对所述第一晶圆进行解键合之后，还包括：

对所述第一晶圆进行清洗和扩膜，以增加所述单颗芯片之间的距离。

9.根据权利要求1-8任一项所述的晶圆级封装结构的制备方法，其特征在于，所述凸点的材料包括Sn、Ag、Cu、Pb、Au、Ni、Zn、Mo、Ta、Bi、In及其合金中的至少一种。

10.一种晶圆级封装结构，其特征在于，所述晶圆级封装结构根据权利要求1-9任一项所述的晶圆级封装结构的制备方法制备。