[发明专利]功率半导体装置有效

专利信息
申请号: 201710173254.7 申请日: 2017-03-22
公开(公告)号: CN107393892B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 托马斯·弗兰克;克里斯蒂安·沃尔特;斯特凡·魏斯;托马斯·齐格勒 申请(专利权)人: 赛米控电子股份有限公司
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L25/10;H01L23/64
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 穆森;戚传江
地址: 德国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【说明书】:

发明涉及一种功率半导体装置,所述功率半导体装置包括基板,所述基板具有第一导电接触区和第二导电接触区并且功率半导体部件被布置在所述基板上并且与所述基板导电连接,并且所述功率半导体装置包括电容器,为了所述电容器的电连接,所述电容器具有导电的第一电容器连接元件和导电的第二电容器连接元件,其中,所述电容器连接元件与所述基板导电地压力接触连接。本发明提供了一种功率半导体装置,该功率半导体装置的电容器可靠地与所述功率半导体装置的基板导电连接。

技术领域

本发明涉及功率半导体装置。

背景技术

在现有技术中已知的功率半导体装置中,诸如例如功率半导体开关和二极管的功率半导体部件通常布置在基板上,并且通过基板的导体层、键合线和/或导电箔复合物彼此导电连接。

在这种情况下,功率半导体部件常常电互连,以形成例如用于整流以及反相电压和电流的单个所谓的半桥电路或多个所谓的半桥电路。在这种情况下,功率半导体装置通常具有作为能量存储体的电容器,其并联和/或串联地电连接并且通常缓冲存储施加到功率半导体装置的DC电压。这种类型的电容器在本领域中也被习惯性地称为中间电路电容器。

电容器通过其电连接元件与功率半导体装置的单个部件或多个部件导电连接,特别地,与功率半导体装置的功率半导体部件导电连接。由于功率半导体装置常常暴露于机械冲击和/或振动负载,因此会出现机械故障以及电容器的电连接元件与在其上布置功率半导体装置的功率半导体部件的功率半导体装置的基板之间的电连接的电中断,这导致功率半导体装置的故障。

DE 10 2009 046 403 A1公开了一种功率半导体装置,其中,电容器的电连接元件通过接触脚与功率半导体装置的基板导电连接,接触脚在功率半导体装置的基板的法线方向上是刚性且非柔性的并且紧密结合地连接到电容器的电连接元件。

发明内容

本发明的问题是提供一种功率半导体装置,该功率半导体装置的电容器可靠地与功率半导体装置的基板导电连接。

通过一种功率半导体装置来解决该问题,该功率半导体装置包括:基板,其具有第一导电接触区和第二导电接触区,并且功率半导体部件被布置在基板上并且与基板导电连接,并且该功率半导体装置包括电容器,为了电容器的电连接,该电容器具有导电的第一电容器连接元件和导电的第二电容器连接元件,并且该功率半导体装置包括第一压力元件和第二压力元件,其中,第一电容器连接元件的第一部分被布置在第一压力元件和与基板的第一接触区之间,并且第二电容器连接元件的第一部分被布置在第二压力元件与基板的第二接触区之间,其中,功率半导体装置以下述方式形成:第一压力元件将第一电容器连接元件的第一部分压靠基板的第一接触区,使得第一电容器连接元件与基板的第一接触区导电地压力接触连接,并且第二压力元件将第二电容器连接元件的第一部分压靠基板的第二接触区,使得第二电容器连接元件与基板的第二接触区导电地压力接触连接。

此外,通过一种功率半导体装置来解决该问题,该功率半导体装置包括基板,基板具有第一导电接触区和第二导电接触区并且功率半导体部件被布置在基板上并且与基板导电连接,并且功率半导体装置包括电容器,为了电容器的电连接,该电容器具有导电的第一电容器连接元件和导电的第二电容器连接元件,并且该功率半导体装置包括第一弹簧元件和第二弹簧元件,并且该功率半导体装置包括电容器保持元件,电容器保持元件具有用于接纳电容器的容器装置,其中,电容器被布置在电容器保持元件的容器装置中,其中,第一弹簧元件与第一电容器连接元件导电接触,并且第二弹簧元件与第二电容器连接元件导电接触,其中,功率半导体装置以下述方式形成:电容器保持元件将第一弹簧元件压靠在基板的第一接触区,使得第一弹簧元件与基板的第一接触区导电地压力接触连接,并且电容器保持元件将第二弹簧元件压靠在基板的第二接触区,使得第二弹簧元件与基板的第二接触区导电地压力接触连接。

本发明的有利实施例如下所述。

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