[发明专利]功率半导体装置

权利要求书

1.一种功率半导体装置，所述功率半导体装置包括基板(3)，所述基板(3)具有导电的第一接触区(2a)和导电的第二接触区(2b)，并且功率半导体部件(4)被布置在所述基板(3)上并且与所述基板(3)导电连接，并且所述功率半导体装置包括电容器(5)，为了所述电容器(5)的电连接，所述电容器(5)具有导电的第一电容器连接元件(5a)和导电的第二电容器连接元件(5b)，并且所述功率半导体装置包括第一压力元件(6a)和第二压力元件(6b)，其中，所述第一电容器连接元件(5a)的第一部分(5a')被布置在所述第一压力元件(6a)与所述基板(3)的所述第一接触区(2a)之间，并且所述第二电容器连接元件(5b)的第一部分(5b')被布置在所述第二压力元件(6b)和所述基板(3)的所述第二接触区(2b)之间，其中，所述功率半导体装置(1)以下述方式形成：所述第一压力元件(6a)将所述第一电容器连接元件(5a)的所述第一部分(5a')压靠所述基板(3)的所述第一接触区(2a)，使得所述第一电容器连接元件(5a)与所述基板(3)的所述第一接触区(2a)导电地压力接触连接，并且所述第二压力元件(6b)将所述第二电容器连接元件(5b)的所述第一部分(5b')压靠所述基板(3)的所述第二接触区(2b)，使得所述第二电容器连接元件(5b)与所述基板(3)的所述第二接触区(2b)导电地压力接触连接，

其特征在于，所述功率半导体装置(1)具有电容器保持元件(7)，所述电容器保持元件(7)具有用于接纳所述电容器(5)的容器装置(7a)，其中，所述电容器(5)被布置在所述电容器保持元件(7)的所述容器装置(7a)中，其中，所述第一压力元件(6a)和所述第二压力元件(6b)与所述电容器保持元件(7)一体形成，或者所述第一压力元件(6a)和所述第二压力元件(6b)的相应部分被注塑成型到所述电容器保持元件(7)中，或者所述第一压力元件(6a)和所述第二压力元件(6b)的相应部分被布置在所述电容器保持元件(7)分别相关联的凹陷(7d)中。

2.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述第一压力元件(6a)和所述第二压力元件(6b)在所述基板(3)的法线方向(N)上形成有弹簧作用。

3.根据权利要求1所述的功率半导体装置，其特征在于，所述容器装置(7a)具有容器保持元件(7a')，其中，所述电容器(5)在所述基板(3)的法线方向(N)上被布置在所述容器保持元件(7a')与所述基板(3)之间。

4.根据权利要求2所述的功率半导体装置，其特征在于，所述容器装置(7a)具有容器保持元件(7a')，其中，所述电容器(5)在所述基板(3)的法线方向(N)上被布置在所述容器保持元件(7a')与所述基板(3)之间。

5.根据权利要求2至4中的一项所述的功率半导体装置，其特征在于，所述功率半导体装置(1)具有底板(9)和压力生成装置(17)，其中，所述基板(3)被布置在所述电容器保持元件(7)的容器装置(7a)与所述底板(9)之间，并且通过所述压力生成装置(17)将所述电容器保持元件(7)紧固于所述底板(9)，其中，所述压力生成装置(17)在所述基板(3)的方向上对所述电容器保持元件(7)施加压力，并且结果，所述第一压力元件(6a)将所述第一电容器连接元件(5a)的所述第一部分(5a')推靠所述基板(3)的所述第一接触区(2a)，使得所述第一电容器连接元件(5a)与所述基板(3)的所述第一接触区(2a)导电地压力接触连接，并且所述第二压力元件(6b)将所述第二电容器连接元件(5b)的所述第一部分(5b')压靠所述基板(3)的所述第二接触区(2b)，使得所述第二电容器连接元件(5b)与所述基板(3)的所述第二接触区(2b)导电地压力接触连接。

6.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，所述基板(3)压靠所述底板(9)，并且结果，所述基板(3)以力配合方式连接到所述底板(9)。

7.根据权利要求5所述的功率半导体装置，其特征在于，所述压力生成装置(17)是以至少一个螺纹连接的形式。