[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201710156871.6 | 申请日: | 2017-03-16 |
公开(公告)号: | CN107204286B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 小清水秀辉;荒谷侑里香;杉谷哲一;灰本隆志 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/82 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
提供晶片的加工方法,对于采用先划片方式的情况下的半导体器件芯片的背面,不使生产性恶化而对各个器件芯片敷设固晶用树脂。该晶片在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件芯片,该晶片的加工方法包含如下的工序:分离槽形成工序,沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽;分割工序,将保护部件配设在晶片的正面上,对晶片进行薄化而使分离槽在晶片的背面露出,将晶片分割成各个器件芯片;固晶用树脂敷设工序,向该晶片的背面涂布液状的固晶用树脂并使其固化,从而按照希望的厚度将固晶用树脂敷设在各个器件芯片的背面上;以及分离工序,将背面上敷设有该固晶用树脂的该器件芯片从晶片分离。
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法,形成多个在背面上具有固晶(die bond)用树脂的器件芯片。
背景技术
在IC、LSI等中使用的半导体器件芯片的制造工艺中,将在正面上由分割预定线划分而形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片,从而形成半导体器件芯片。并且,通过对该半导体器件芯片进行封装而将其应用于移动电话、个人计算机等电子设备中。
分割得到的半导体器件芯片被粘合(粘结)在引线框架(金属制基板)等上,作为对该半导体器件芯片的背面敷设用于与引线框架粘结的粘合剂的方法,公知如下方法:在分割成各个器件芯片之前的晶片的背面上粘贴与该晶片大致相同大小的DAF(die-attachfilm:同时具有划片带和粘合剂的功能的膜),从晶片的正面侧通过划片将晶片分割成各个器件芯片,并且与各个器件芯片对应地将粘合剂切断,将分割得到的各个器件芯片从该晶片分离而取出,从而得到在背面上敷设有粘合剂的半导体器件芯片(例如,参照专利文献1)。
在采用上述那样的粘合剂敷设方法的情况下,以如下操作为前提:在从背面侧进行磨削(薄化)以使晶片达到希望的厚度并将该DAF粘贴在磨削后的背面上的基础上从正面侧进行划片,将晶片分割成各个器件芯片。
然而,在采用从正面侧利用切削刀具进行设置出深度相当于完工厚度的分离槽的切割然后对背面进行磨削从而分割成各个器件芯片的所谓的被称为先划片的技术的情况下,由于与完成背面磨削同时地将晶片分割成各个器件芯片,所以难以采用上述那样的方法。因此,当对采用了先划片方式的情况下的器件芯片的背面敷设作为粘合剂的例如固晶用树脂的情况下,尝试了如下方式:在分割成各个器件芯片之后,在将各个半导体器件芯片从晶片取出之前,将固晶用的树脂膜粘贴在晶片的整个背面上,并从晶片的正面的分离槽侧采取照射激光光线等方式而与该半导体器件芯片对应地对该膜进行分割(例如,参照专利文献2)。另外,作为沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽的方法,并不仅限于利用上述切削刀具,也能够通过蚀刻等来形成上述分离槽(例如,参照专利文献3)。
专利文献1:日本特开2000-182995号公报
专利文献2:日本特开2002-118081号公报
专利文献3:日本特开2006-294913号公报
在采用了上述的先划片方式的情况下的敷设固晶用树脂的方法中,产生了如下问题:需要区别于半导体器件的分割而对粘结在背面上的固晶用的树脂膜进行切断,变成比较复杂的工序。另外,关于结束了在划片之后执行的背面磨削而被分割成各个半导体器件芯片后的晶片的分割预定线,存在因背面磨削时的从磨削砂轮机施加的负荷而导致与分割前的分割预定线相比其宽度、位置发生变化而直线性受损等可能性,也存在很难通过物理的加工构件例如切削刀具沿着该分割预定线直线状地实施加工而进行分割的担心。特别是在器件较小的情况(例如,2mm见方以下的器件)下,被分割的器件的个数变多,更难沿着分割预定线实施物理性的加工,存在生产性恶化的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的,其主要的技术性课题在于提供晶片的加工方法,对于采用先划片(Dicing Before Grinding)方式的情况下的从晶片分离出的器件芯片的背面,不使生产性恶化而对各个器件芯片敷设固晶用树脂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造