[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，该晶片在正面上由交叉的多条分割预定线划分而形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：

分离槽形成工序，沿着分割预定线形成深度相当于器件芯片的完工厚度的分离槽；

分割工序，在实施了该分离槽形成工序之后，将保护部件配设在晶片的正面上，对晶片进行薄化而使该分离槽在晶片的背面露出，将晶片分割成各个器件芯片；

固晶用树脂敷设工序，在实施了该分割工序之后，向该晶片的背面涂布液状的固晶用树脂并使其固化，从而按照希望的厚度将固晶用树脂敷设在各个器件芯片的背面上；以及

分离工序，将背面上敷设有该固晶用树脂的该器件芯片从晶片分离，

该固晶用树脂敷设工序包含如下的工序：

薄膜层形成工序，利用高压空气使液状的该固晶用树脂成为雾状而涂布在晶片的背面上从而形成薄膜层；以及

外界刺激施加工序，通过对该薄膜层施加外界刺激而使该薄膜层固化，

将该薄膜层形成工序和外界刺激施加工序交替并且反复进行至少两次以上而使该固晶用树脂形成为希望的厚度，

该高压空气的压力和每单位时间内所喷雾的液状的该固晶用树脂的喷雾量基于该分离槽的槽宽和液状的该固晶用树脂的粘度而被设定成防止液状的该固晶用树脂进入到该分离槽中。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在该分离槽形成工序中，使切削刀具沿着分割预定线切入而形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽。

3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在该分离槽形成工序中，通过湿蚀刻或干蚀刻而沿着分割预定线形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽。

4.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在该分离槽形成工序中，沿着分割预定线照射激光光线而形成深度相当于该器件芯片的完工厚度的分离槽。

5.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

在该分割工序中，对晶片的背面进行磨削而对该晶片进行薄化，从而使该分离槽在晶片的背面露出。

6.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法还包含如下的工序：

移换工序，在该固晶用树脂敷设工序之后，在敷设有该固晶用树脂的晶片的背面上粘贴粘合带，并且利用具有对该晶片进行收纳的开口的环状框架而借助该粘合带对晶片进行支承，并将保护部件从该晶片的正面去除；以及

拾取工序，在实施了该移换工序之后，从该粘合带拾取器件芯片。

7.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该薄膜层形成工序包含如下的工序：

保持工序，使该晶片的背面露出而将晶片保持在能够旋转的工作台上；以及

涂敷工序，使该工作台旋转并使液状的该固晶用树脂成为雾状而涂布在该晶片的背面上。

8.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

通过该薄膜层形成工序而涂布的该固晶用树脂是紫外线硬化型树脂，所施加的外界刺激是紫外线照射。

9.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

通过该薄膜层形成工序而涂布的该固晶用树脂是热硬化型树脂，所施加的外界刺激是加热。

10.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

通过该薄膜层形成工序而形成的该薄膜层的厚度为3μm～7μm，该固晶用树脂的希望的厚度为30μm～50μm。