[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

实施方式的半导体装置的制造方法在将经薄膜化的半导体晶片从支撑基板剥离时，使半导体晶片所受的损坏减少。实施方式的半导体装置的制造方法是在线剥离结束位置(E2)，通过将爪(6A)的前端插入到支撑基板(1)与粘接层(2)之间而在支撑基板(1)设置剥离面(H1)，并且在线剥离开始位置(E1)，通过将爪(6B)的前端插入到支撑基板(1)与粘接层(2)之间而在支撑基板(1)设置剥离面(H2)，通过使剥离线(LH)沿剥离方向(DH)移动而将支撑基板(1)从半导体晶片(W)剥离。

[相关申请]

本申请享有以日本专利申请2016-46605号(申请日：2016年3月10日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种半导体装置的制造方法。

背景技术

在半导体装置的制造工艺中，有时在将半导体晶片薄膜化之前将半导体晶片贴附在支撑基板。贴附在支撑基板的半导体晶片在将半导体晶片薄膜化之后，从支撑基板剥离。

发明内容

本发明的一个实施方式提供一种半导体装置的制造方法，该半导体装置的制造方法在将经薄膜化的半导体晶片从支撑基板剥离时，可使半导体晶片所受的损坏减少。

实施方式的半导体装置的制造方法是在表面形成着半导体元件的晶片将所述表面朝向支撑基板侧而粘接的所述支撑基板的外周的至少一部分形成剥离面，从所述剥离面来看隔着所述支撑基板的几何学重心朝向所述剥离面的方向将所述晶片与所述支撑基板剥离。

附图说明

图1(a)～图1(d)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图2(a)～图2(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图。

图3(a)～图3(c)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。

图4(a)～图4(c)是表示第2实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。

具体实施方式

以下，参照随附图式，对实施方式的半导体装置的制造方法进行详细说明。另外，本发明并非由这些实施方式限定。

(第1实施方式)

图1(a)～图1(d)及图2(a)～图2(b)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的剖视图，图3(a)～图3(c)是表示第1实施方式的半导体装置的制造方法的俯视图。

在图1(a)中，在半导体晶片W的正面侧形成着器件层DV。此时，半导体晶片W的厚度可以能够以半导体晶片W单体稳定地操作的方式设定。例如，半导体晶片W的厚度可设定为100μm以上。半导体晶片W的材料例如可使用Si、Ge、SiGe、GaAs、GaAlAs、InP、GaP、GaN、SiC或InGaAsP等。器件层DV中可包含形成在半导体晶片W的有源区及形成在半导体晶片W上的配线层等。可在有源区设置通道区域、源极层及漏极层。可在配线层设置栅极电极及配线等。形成在器件层DV的器件可为存储器元件，也可为晶体管元件。也可形成逻辑电路、处理器或NAND(Not AND，与非)闪速存储器等集成电路。

而且，介隔粘接层2将半导体晶片W的正面侧固定在支撑基板1。另外，支撑基板1的形状可与半导体晶片W的形状对应。此时，支撑基板1的外形也可大于半导体晶片W。另外，支撑基板1的材料可为Si，也可为玻璃。粘接层2的材料可使用能通过加热等剥离且剥离后不具有粘附性的材料。例如，粘接层2的材料可使用热固性树脂。