[发明专利]半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201710133211.6 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN107180781B | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 白河达彦 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在表面形成着半导体元件的晶片将所述表面朝向支撑基板侧而粘接的所述支撑基板的外周的至少一部分形成第一剥离面，
在从所述第一剥离面来看隔着所述支撑基板的几何学重心而位于相反侧的所述支撑基板的外周形成第二剥离面，且从所述第二剥离面朝向所述第一剥离面的方向将所述晶片与所述支撑基板剥离。
2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：所述第一剥离面形成在线剥离结束位置。
3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：通过向所述支撑基板与所述晶片之间插入爪而形成所述第一及第二剥离面。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：
在表面形成着半导体元件的晶片将所述表面朝向支撑基板侧而粘接的所述支撑基板的外周的至少一部分形成剥离面，
使所述剥离面扩大到所述支撑基板的全周，
从扩大到全周的所述剥离面的一部分朝从所述一部分来看隔着所述支撑基板的几何学重心的所述剥离面的另一部分的方向，将所述晶片与所述支撑基板剥离，
在将所述晶片与所述支撑基板剥离的线剥离开始位置侧吸附所述支撑基板，在线剥离结束位置侧对所述支撑基板加压。
5.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：在形成所述剥离面时，向所述一部分的所述支撑基板与所述晶片之间插入爪，
在使所述剥离面扩大到所述支撑基板的全周时，使所述支撑基板相对于所述爪相对地旋转。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
