[发明专利]具有激光熔丝的集成电路及其形成方法有效
申请号: | 201710079123.2 | 申请日: | 2017-02-14 |
公开(公告)号: | CN106876326B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 吴亚贞 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/525;H01L23/532 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 激光 集成电路 及其 形成 方法 | ||
本发明提供了一种具有激光熔丝的集成电路及其形成方法,其结构包括:衬底;形成于所述衬底上的层间介质层;位于所述层间介质层上的缓冲层;以及,形成于所述缓冲层上的激光熔丝。即,由于所述激光熔丝和层间介质层之间设置有一缓冲层,从而在执行激光修调工艺时,避免了所述激光熔丝所产生的机械应力和热应力直接作用于层间介质层上,从而可有效改善所述层间介质层中产生裂纹的问题。
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种具有激光熔丝的集成电路及其形成方法。
背景技术
在半导体集成电路中通常会设置一熔丝,通过熔断熔丝进而可达到对集成电路的功能或参数进行修调的目的。根据熔丝的熔断方法,可以把熔丝分为电熔丝(ElectricalFuse)和激光熔丝(Laser fuse),其中,所述激光熔丝一般采用一定能量的激光束照射熔丝,进而使所述激光熔丝熔断。
图1为现有的一种具有激光熔丝的集成电路的结构示意图,如图1所示,所述具有激光熔丝的集成电路包括:衬底11;位于所述衬底11上的层间介质层12;形成于所述层间介质层12上的激光熔丝13;以及,覆盖所述层间介质层12和激光熔丝13的保护层14,所述保护层14中形成有一位于所述激光熔丝13上方的凹槽14a,使位于凹槽14a下方的保护层的厚度较薄。即,位于所述激光熔丝13上方的部分区域的保护层14的厚度较薄,从而在后续的激光修调时,激光束通过所述凹槽14a照射于所述保护层上,进而使激光熔丝13发生熔断。
然而,在激光修调的过程中,所述激光熔丝13会发生汽化膨胀,进而产生较高的机械应力和热应力,所产生的机械应力和热应力将直接作用于所述层间介质层12上,最终导致在所述层间介质层12中产生裂纹甚至发生断裂的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有激光熔丝的结构,以解决在激光修调的过程中,使位于激光熔丝下方的层间介质层产生裂纹甚至发生断裂的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种具有激光熔丝的集成电路,包括:
一衬底;
一层间介质层,所述层间介质层形成于所述衬底上;
一缓冲层,所述缓冲层位于所述层间介质层上;
一激光熔丝,所述激光熔丝形成于所述缓冲层上。
可选的,所述具有激光熔丝的集成电路还包括:
一导电层,所述导电层形成于所述衬底上;以及
多个导电插塞,所述导电插塞贯穿所述层间介质层,并分别连接所述导电层和所述激光熔丝。
可选的,所述激光熔丝覆盖所述缓冲层和部分层间介质层,一部分导电插塞直接连接所述激光熔丝的一端,另一部分导电插塞直接连接所述激光熔丝的另一端。
可选的,所述具有激光熔丝的集成电路还包括:
一保护层,所述保护层覆盖所述层间介质层和所述激光熔丝。
可选的,位于所述激光熔丝上方的部分区域的保护层的厚度小于
可选的,所述保护层包括:
一金属间电介质层,所述金属间电介质层覆盖所述层间介质层上和所述激光熔丝;
一金属层,所述金属层形成于所述金属间电介质层上;以及
一钝化层,所述钝化层形成于所述金属间电介质层和所述金属层上。
可选的,位于所述激光熔丝上方的部分区域的金属间电介质层的厚度小于
可选的,所述金属间电介质层中形成有一位于所述激光熔丝上方的凹槽,使所述激光熔丝上方的部分区域的金属间电介质层的厚度小于
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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