[发明专利]一种阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201710087170.1 | 申请日： | 2017-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN106876327B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 宋振;王国英;刘凤娟 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可保护有源层免受光照影响，减少器件Vth漂移，保证器件的开关特性。该阵列基板的制备方法包括，在衬底基板上形成依次远离衬底基板的遮光图案层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极；采用溅射法或蒸镀法，在真空或惰性气体环境下，以硅作为靶材或蒸发源，在衬底基板上方沉积非晶硅薄膜；非晶硅薄膜的沉积温度范围为15～150℃；对非晶硅薄膜进行构图工艺处理，形成至少位于有源层上方的第一层间绝缘层；第一层间绝缘层上形成有露出有源层上的源极接触区与漏极接触区的通孔；在第一层间绝缘层上方形成通过通孔分别与源极接触区相连的源极、与漏极接触区相连的漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种阵列基板的制备方法，所述制备方法包括，在衬底基板上形成依次远离所述衬底基板的遮光图案层、缓冲层、有源层、栅绝缘层和栅极；其特征在于，所述制备方法还包括，采用溅射法，在真空或惰性气体环境下，以硅作为靶材，在所述衬底基板上方沉积非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉积温度范围为15～150℃；或者，采用蒸镀法，在真空或惰性气体环境下，以硅作为蒸发源，在所述衬底基板上方沉积非晶硅薄膜；其中，所述非晶硅薄膜的沉积温度范围为15～150℃；对所述非晶硅薄膜进行构图工艺处理，形成至少位于所述有源层上方的第一层间绝缘层；所述第一层间绝缘层上形成有露出所述有源层上的源极接触区与漏极接触区的通孔；在所述第一层间绝缘层上方形成通过所述通孔分别与所述源极接触区相连的源极、与所述漏极接触区相连的漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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