[发明专利]含有含氟共聚物的交联性组合物、交联物及半导体制造装置用密封材料有效
申请号: | 201680067596.4 | 申请日: | 2016-11-15 |
公开(公告)号: | CN108291069B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 安田智子;长井宏树;八木启介;巨势丈裕;山田武志 | 申请(专利权)人: | AGC株式会社 |
主分类号: | C08L27/18 | 分类号: | C08L27/18;C08F2/44;C08F8/00;C08F210/06;C08F214/24;C08J3/24;C08K5/14;C08K5/19;C08K5/49;C09K3/10 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含有 共聚物 交联 组合 半导体 制造 装置 密封材料 | ||
提供交联特性优异、可提供受到等离子体照射时产生的微粒得以抑制的交联物的含有含氟共聚物的交联性组合物、将该组合物交联而得到的交联物、及包含该交联物的半导体制造装置用密封材料。一种交联性组合物,其特征在于,包含下述共聚物(X)、有机过氧化物、交联助剂、及选自由季铵盐和季鏻盐和有机胺组成的组中的至少一种,所述共聚物(X)为具有碘原子并且具有基于四氟乙烯的结构单元及基于丙烯的结构单元、且基于偏氟乙烯的结构单元的含量相对于全部结构单元不足0.1摩尔%的共聚物,相对于前述共聚物(X)100质量份,金属元素的含量不足1质量份。
技术领域
本发明涉及交联反应性优异的含有含氟共聚物的交联性组合物、将该交联性组合物交联而成的交联物及半导体制造装置用密封材料。
背景技术
将交联性的含氟共聚物交联而得到的交联物(弹性体)由于耐热性、耐化学药品性、耐油性、耐候性等优异,因此适于在烃系聚合物不能耐受的那样严酷的环境下的使用。含氟共聚物通常缺乏交联反应性,因此要求提高交联物的生产率。因此,对制备在含氟共聚物中配混作为交联剂的过氧化物、有机鎓化合物而成的交联性组合物、并促进交联反应的情况进行了研究。例如,专利文献1中提出了将在包含偏氟乙烯、四氟乙烯及丙烯的三元系共聚物中配混有机鎓化合物而成的组合物交联而得到的交联物。
作为将交联性的含氟共聚物交联而得到的交联物(弹性体)在严酷的环境下使用的用途的一例,有半导体制造装置中的照射等离子体的腔室的密封材料。该密封材料存在从受到等离子体照射的部位产生所谓微粒(微细的粉尘)、损害腔室内的洁净性的问题。为了解决该问题,提出了在含氟共聚物中配混异吲哚啉酮系颜料、喹吖啶酮系颜料、二酮吡咯并吡咯系颜料、蒽醌系颜料等芳香族化合物而成的组合物(专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平5-155943号公报
专利文献2:日本特许第4720501号公报
发明内容
但是,对于专利文献2中提出的组合物,有时含氟共聚物的交联反应性的控制、上述芳香族化合物的制备是困难的。因此,要求更简便、交联反应性优异、所得交联物受到等离子体照射时产生的微粒少的交联性组合物。
本发明的目的在于,提供交联反应性优异、可提供受到等离子体照射时产生的微粒低的交联物的、含有含氟共聚物的交联性的组合物、将该组合物交联而得到的交联物、及包含该交联物的半导体制造装置用密封材料。
本发明提供具有以下构成的交联性组合物、将该组合物交联而得到的交联物、及包含该交联物的半导体制造装置用密封材料。
[1]一种交联性组合物,其特征在于,包含下述共聚物(X)、有机过氧化物、交联助剂、及选自由季铵盐、季鏻盐及有机胺组成的组中的至少一种,
相对于前述共聚物(X)100质量份,金属元素的含量不足1质量份。
共聚物(X):具有碘原子并且具有基于四氟乙烯的结构单元及基于丙烯的结构单元、且基于偏氟乙烯的结构单元的含量相对于全部结构单元不足0.1摩尔%的共聚物。
[2]根据[1]所述的交联性组合物,其中,基于丙烯的结构单元和基于四氟乙烯的结构单元的合计含量相对于前述共聚物(X)的全部结构单元为90~100摩尔%。
[3]根据[1]或[2]所述的交联性组合物,其中,基于四氟乙烯的结构单元相对于前述基于丙烯的结构单元摩尔比为30/70~99/1。
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