[实用新型]定位结构及硅片加工设备

权利要求书

1.一种定位结构，其特征在于，包括：

载物台；

真空通路，用于将待定位件吸附于所述载物台表面，所述真空通路包括相互隔开设置的至少两个真空通路单元；

连接通路，将所述真空通路单元之间连通；以及，

开关件，用于将所述连接通路切断或接通，以改变所述真空通路的吸附区域。

2.根据权利要求1所述的定位结构，其特征在于，所述载物台包括本体以及设置于所述本体上的微孔陶瓷，所述真空通路将待定位件吸附于所述微孔陶瓷表面；

所述微孔陶瓷包括分别与至少两个所述真空通路单元位置对应的至少两个微孔陶瓷单元；

还包括第一隔离件和第二隔离件，所述第一隔离件设置于相邻所述微孔陶瓷单元之间，所述第二隔离件包绕于所述微孔陶瓷的外周。

3.根据权利要求2所述的定位结构，其特征在于，所述至少两个真空通路单元包括中心通路单元以及位于所述中心通路单元外周的至少一条周部通路单元。

4.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述本体表面设置有第一凹槽，所述第一凹槽形成所述中心通路单元；

在所述本体表面上，第一凹槽的外周沿径向向外依次设置至少一条第二凹槽，每条所述第二凹槽形成一条所述周部通路单元。

5.根据权利要求4所述的定位结构，其特征在于，所述本体设置有与所述第一凹槽连通的抽真空孔，所述抽真空孔用于与抽真空装置连接。

6.根据权利要求5所述的定位结构，其特征在于，所述连接通路包括设置于所述本体内的第一连接通路单元，所述第一连接通路单元将靠近所述第一凹槽的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

7.根据权利要求6所述的定位结构，其特征在于，所述连接通路还包括设置于所述本体内的第二连接通路单元，所述第二连接通路单元将相邻第二凹槽连通，或者，所述第二连接通路单元分别将除去靠近所述第一凹槽的第二凹槽之外的第二凹槽与所述抽真空孔连通。

8.根据权利要求3所述的定位结构，其特征在于，所述至少两个微孔陶瓷单元包括中心微孔陶瓷单元以及位于所述中心微孔陶瓷单元外周的至少一个周部微孔陶瓷单元；

所述中心微孔陶瓷单元为圆形，所述中心通路单元用于将5英寸的所述待定位件吸附于所述中心微孔陶瓷单元表面。

9.根据权利要求8所述的定位结构，其特征在于，所述至少一个周部微孔陶瓷单元包括与所述中心微孔陶瓷单元相邻的第一周部微孔陶瓷单元，所述第一周部微孔陶瓷单元为与所述中心微孔陶瓷单元同心设置的圆环形，所述至少一条周部通路单元包括与所述中心通路单元相邻的第一周部通路单元，所述第一周部通路单元及所述中心通路单元用于将6英寸的所述待定位件吸附于所述第一周部微孔陶瓷单元及所述中心微孔陶瓷单元表面。

10.根据权利要求5所述的定位结构，其特征在于，所述本体内设置有通道，所述通道依次将所述第二凹槽与所述抽真空孔连通；

所述开关件设置于所述通道内，所述开关件上靠近所述抽真空孔的一端开设有第一连通孔，所述开关件的侧壁上开设有第二连通孔，所述第一连通孔与所述第二连通孔连通；

当所述第二连通孔与所述第二凹槽接通时，所述连接通路接通，当所述第二连通孔与所述第二凹槽错开时，所述连通通孔切断。

11.根据权利要求10所述的定位结构，其特征在于，所述开关件呈圆柱状，通过转动所述开关件实现所述连接通路的接通和切断。

12.一种硅片加工设备，其特征在于，采用如权利要求1至9任一项所述的定位结构对硅片进行定位。

13.根据权利要求12所述的硅片加工设备，其特征在于，所述硅片加工设备为减薄机。