[发明专利]一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法

权利要求书

1.一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，分别利用射频磁控溅射技术和溶胶凝胶法在有机聚合物衬底和ZnO薄膜之间涂覆MgO薄膜和纳米二氧化钛和碳纳米管的混合溶胶薄膜，包括以下步骤：

S1、将掺有Ga₂O₃和Al₂O₃粉末的ZnO陶瓷靶为靶材，室温下在有机聚合物衬底上沉积一层ZnO透明导电薄膜；

S2、利用射频磁控溅射技术，将MgO均匀溅射在有机聚合物衬底和ZnO薄膜之间，形成厚度为0.05～0.1μm的镀膜B；

S3、以纳米二氧化钛和碳纳米管的混合溶胶为原料在步骤S2中所得的镀膜B的表面进行涂膜处理，在78～92℃的环境下，干燥0.3～5h，形成厚度为0.01～0.1μm的镀膜C，即得。

2.根据权利要求1所述的一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，所述步骤S1中Ga₂O₃和Al₂O₃粉末的质量比为0.88～1.12:3.2～5。

3.根据权利要求1所述的一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，所述步骤S1中的有机聚合物为聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酩、有机玻璃或聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，所述步骤S2中MgO的纯度为99.99％以上的MgO。

5.根据权利要求1所述的一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，所述步骤S2中射频磁控溅射技术工艺参数为：衬底温度为室温，真空度为3.5×10^-3Pa～5.8×10^-3Pa，压强为0.1～3.0Pa，溅射功率为150～360W，溅射时间为1～100min，靶材与衬底之间的距离保持为5～15cm，整个过程中保证有质量比为1～9:0～1的纯氩气和纯氧气的混合气体通入。

6.根据权利要求1所述的一种提高ZnO透明导电薄膜附着力的方法，其特征在于，所述步骤S3中纳米二氧化钛和碳纳米管的混合溶胶的制备方法为：将质量比为3.1～4.3:1～1.2的纳米二氧化钛和碳纳米管溶于钛酸正丁酯、乙醇和水的混合溶液中，加入混合溶液总量0.1～0.18倍的硝酸溶液，搅拌均匀即得，其中，混合溶胶中钛酸正丁酯、乙醇和水的质量比为2～3.2:1.6～2.5:0.2～0.4。