[发明专利]单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序

说明书

本发明涉及一种单次可编程存储器架构中的自锁存感测时序。可编程存储器(19)包含自锁存读取数据路径。感测放大器(28)感测位线处的电压电平，所述位线传送在其相关联的列中的所选择的存储器单元(32)的数据状态。耦合到所述感测放大器(28)的输出的数据锁存器(30)传递所述感测到的数据状态。提供在所述读取数据路径中接收所述数据锁存器(30)的输出的设置复位逻辑(34)，且所述设置复位逻辑(34)响应于所述数据状态在读取循环中的转变锁存所述数据锁存器(30)并将其与所述感测放大器(28)隔离。所述设置复位逻辑(34)在下一读取循环的开始处使所述数据锁存器(30)复位。在一些实施例中，提供定时器(27)，使得所述锁存器(30)在其中无数据转变发生的较长读取循环中在超时周期之后被复位。

相关申请案的交叉参考

本申请案根据35U.S.C.§119(e)主张2015年12月18日申请的第62/269,737号临时申请案的优先权，所述临时申请案以引用方式并入本文中。

关于联邦政府资助的研究或开发的声明

不适用。

技术领域

本发明涉及固态存储器的领域。更具体来说，本发明的实施例涉及对单次可编程非易失性存储器中所存储的数据状态的感测。

背景技术

非易失性固态读取/写入存储器装置在许多现代电子系统中是常见的，尤其是在便携式电子装置及系统中。常规类型的非易失性固态存储器装置包含被称为电可编程只读存储器(EPROM)装置的存储器装置。现代EPROM存储器单元包含存储数据状态的一或多个“浮动栅极”晶体管。在一般意义上，通过施加偏压来对这些浮动栅极晶体管进行“编程”，所述偏压使电洞或电子隧穿或通过较薄电介质膜被注入到作为晶体管的浮动栅极的电隔离的晶体管栅极元件上。与在浮动栅极上未俘获电荷的情况下的阈值电压相比，浮动栅极上所俘获的此电荷将调制存储器单元晶体管的表观阈值电压。可通过在正常晶体管偏置条件下感测经编程的状态与未经编程的状态之间的源极-漏极传导的所得差值来检测阈值电压的此差值。一些EPROM装置是“可擦除的”，其中：可(例如)通过将存储器单元曝露到紫外光(此类存储器被称为“UV EPROM”)或通过施加实现来自浮动栅极的电荷的隧穿的特定电偏置条件(此类存储器被称为电可擦除或电可更改，即，分别是EEPROM或EAPROM)从浮动栅极移除所俘获的电荷。通常由EEPROM存储器阵列实现“快闪”存储器装置，其中擦除操作被同时施加于存储器单元的“块”。

因为现代EPROM及EEPROM功能的方便性及效率，现在通常将非易失性存储器阵列嵌入于较大型的集成电路内，例如现代复杂微处理器、数字信号处理器及其它大型逻辑电路。此类嵌入式非易失性存储器可用作存储可由处理器执行的软件例程的非易失性程序存储器，且也可用作非易失性数据存储装置。在更小规模上，非易失性存储器单元可实现控制寄存器，可通过所述控制寄存器配置较大型的逻辑电路，或可将其用于在电测量之后“修整”模拟电平。

如所属领域已知，“单次可编程”(“OTP”)存储器也是流行的，尤其是在如上所述的嵌入式非易失性存储器应用中。OTP存储器的存储器单元与UV EPROM单元类似或相同地构造，且因而其不可被电擦除。但当安装于不具有窗(存储器可通过所述窗被曝露于紫外光)的不透明封装中时，UV EPROM单元可被编程一次，且仅可被编程一次。在嵌入式应用中，OTP存储器可用于存储待由嵌入式微控制器或微处理器执行的程序代码。