[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

半导体器件用于各种电子应用中，诸如个人计算机、手机和数码相机。通常通过以下步骤来制造半导体器件：在半导体衬底上方相继沉积绝缘或介电层、导电层和半导体层；以及使用光刻来图案化各个层，以在各个层上形成电路组件和元件。

半导体工业通过不断减小最小化部件尺寸来继续提高各种电子组件(如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度，这允许更多的组件集成到给定的区域内。可使用半导体处理技术在晶圆上形成单独的管芯。在器件形成之后，管芯可以通过锯切、激光等从晶圆切割开。管芯可通过切割区、划线等分隔开以导致切割装置的宽度。

发明内容

根据本发明的一些实施例，提供了一种制造半导体结构的方法，包括：提供第一晶圆；提供具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的第二晶圆；使所述第二晶圆的第一表面与所述第一晶圆接触；以及在所述第二晶圆的第二表面上形成多条划线；其中，所述多条划线从所述第二晶圆的第三表面突出，并且所述第三表面介于所述第一表面和所述第二表面之间。

根据本发明的另一些实施例，还提供了一种晶圆级半导体结构，包括：第一晶圆；以及第二晶圆，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第一晶圆接触且所述第二表面具有多条划线；其中，所述多条划线从所述第二晶圆的第三表面突出，且所述第三表面介于所述第一表面和所述第二表面之间。

根据本发明的又一些实施例，还提供了一种晶圆级半导体结构，包括：第一晶圆；以及第二晶圆，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述第一晶圆接触且所述第二表面配置为具有多条划线；其中，所述第二晶圆的第二表面配置为在所述第二晶圆的边缘上具有晶圆边缘线，所述晶圆边缘线从所述第二晶圆的第三表面突出，所述第三表面夹在所述第一表面和所述第二表面之间，且所述晶圆边缘线环绕所述多条划线。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，对各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1是根据一些实施例示出的具有设置在晶圆级半导体结构的表面上的多条划线的晶圆级半导体的顶视图。

图2是根据一些实施例示出的沿着图1中示出的线A-A'截取的晶圆级半导体结构的一部分的截面图。

图3是根据一些实施例示出的图1的晶圆级半导体结构的一部分的顶视图。

图4是根据一些实施例示出的沿着图1中示出的线B-B'截取的晶圆级半导体结构的一部分的截面图。

图5至图13是根据本发明的一些实施例的在各个阶段制造的CMOS-MEMS晶圆的截面图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

下文详细讨论本发明的实施例。然而，应该理解，本发明提供了许多可以在各种具体环境中实现的可应用的发明构思。所讨论的特定实施例仅仅是说明性的，且并不用于限制本发明的范围。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...之上”、“上部”、“左”、“右”等的空间相对术语，以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对位置术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，并且本文使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。应当理解，当将元件称为“连接至”或“耦接至”至另一元件时，它可以直接连接或耦接至其他元件，或者可以存在中间元件。