[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

技术领域

本公开涉及一种半导体结构，该半导体结构包括基板与位于基板上方的晶片，其中基板的曲率为正或约为零。再者，半导体结构的制造方法包括配置基板于模具件的曲面上方或将模具件的温度加热至实质大于成形温度。

背景技术

半导体装置对于许多现代应用而言是重要的。随着电子技术的进展，半导体装置的尺寸越来越小，而功能越来越大且整合的电路量越来越多。由于半导体装置的规模微小化，晶圆级晶片规模封装(wafer level chip scale packaging，WLCSP)是广泛用于制造。在此等小半导体装置内，实施许多制造步骤。

然而，微型化规模的半导体装置的制造变得越来越复杂。半导体装置与许多集成组件组合在一起，该集成组件包含具有不同热性质的各种材料。由于具有不同材料的许多组件组合在一起，半导体装置的制造操作复杂度增加。因此，持续需要改良半导体装置的制程并且解决上述缺陷。

上文的「现有技术」说明仅是提供背景技术，并未承认上文的「现有技术」说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的「现有技术」的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；配置该基板于一第一模具件上方；配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；移除该第一模具件；移除该第二模具件，其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该晶片或该第二模具件突出。

在本公开的实施例中，该基板位于该曲面上方。

在本公开的实施例中，该曲面为一凸面架构。

在本公开的实施例中，该曲面包含不等于零的曲率。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之前，该基板的曲率与该曲面的曲率相同。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之后，该基板的曲率自曲面的曲率改变为零。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之前，该基板的曲率不等于零。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之后，该基板的曲率为零。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之前与之后，该基板的曲率不同。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之后，该基板的曲率降低。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之后，该基板朝向晶片或模制物突出。

在本公开的实施例中，在配置该基板于该第一模具件上方之后，该基板或晶片弯曲。

在本公开的实施例中，该模制物的形成涉及交联反应。

在本公开的实施例中，形成该模制物是在150℃至200℃的成形温度进行。

本公开提供另一种半导体结构的制造方法，包括：提供一基板与位于该基板上方的一晶片；提供一第一温度的第一模具件；配置该基板于该第一模具件上方；提供一第二温度的第二模具件；配置该第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；配置一模制材料于该晶片附近；在一成形温度形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；移除该第一模具件；移除该第二模具件，其中该第一温度高于该成形温度。

在本公开的实施例中，该第一温度不同于或高于该第二温度。

在本公开的实施例中，在该模制物形成过程中，该基板的温度自该第一温度改变为该成形温度。

在本公开的实施例中，在该模制物形成之前，该基板的温度不同于或高于该模制材料的温度。

在本公开的实施例中，该第一温度为150℃至260℃。

本公开另提供一种半导体结构，包含：一基板；位于该基板上方的一晶片；以及位于该基板上方且于一成形温度环绕该晶片的一模制物，其中在该成形温度或是比该成形温度高10℃或低10℃，该基板的翘曲为凸面或为零。

在本公开的实施例中，该晶片的曲率与该基板的曲率相同。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，俾使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文公开的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

附图说明

参阅详细说明与权利要求结合考量附图时，可得以更全面了解本申请案的公开内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。