[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板与位于该基板上方的一晶片；

配置该基板于一第一模具件上方；

配置一第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；

配置一模制材料于该晶片附近；

形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；

移除该第一模具件；以及

移除该第二模具件，

其中该第一模具件包含一曲面，该曲面朝向该基板、该晶片或该第二模具件突出。

2.如权利要求1所述的制造方法，其中该基板位于该曲面上方。

3.如权利要求1所述的制造方法，其中该曲面为一凸面架构。

4.如权利要求1所述的制造方法，其中该曲面包含不等于零的曲率。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是与该曲面的曲率相同。

6.如权利要求4所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基板的曲率是自该曲面的曲率改变为零。

7.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是不等于零。

8.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前，该基板的曲率是零。

9.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之前与之后，该基板的曲率是不同。

10.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基板的曲率降低。

11.如权利要求1所述的制造方法，其中在该模制物形成之后，该基板朝向该晶片或该模制物突出。

12.如权利要求1所述的制造方法，其中在配置该基板于该第一模具件上方之后，该基板或该晶片弯曲。

13.如权利要求1所述的制造方法，其中该模制物的形成涉及一交联反应。

14.如权利要求1所述的制造方法，其中形成该模制物是在150℃至200℃的一成形温度进行。

15.一种半导体结构的制造方法，包括：

提供一基板与位于该基板上方的一晶片；

提供一第一温度的一第一模具件；

配置该基板于该第一模具件上方；

提供一第二温度的一第二模具件；

配置该第二模具件于该基板上方，以囊封该晶片；

配置一模制材料于该晶片附近；

在一成形温度形成一模制物于该基板上方且于该晶片附近；

移除该第一模具件；以及

移除该第二模具件，

其中该第一温度高于该成形温度。

16.如权利要求15所述的制造方法，其中该第一温度不同于或高于该第二温度。

17.如权利要求15所述的制造方法，其中在该成形物形成过程中，该基板的温度自该第一温度改变为该成形温度。

18.如权利要求15所述的制造方法，其中该第一温度为150℃至260℃。

19.一种半导体结构，包括：

一基板；

一晶片，位于该基板上方；以及

一模制物，位于该基板上方且在一成形温度环绕该晶片，

其中于该成形温度或是比该成形温度高10℃或低10℃，该基板的翘曲为凸面或零。

20.如权利要求19所述的半导体结构，其中该晶片的曲率是与该基板的该曲率相同。