[发明专利]阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统

说明书

技术领域

本公开总体上涉及一种阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统。

背景技术

对于诸如显示器、照明装置以及太阳能电池等电子装置领域中的基板，除了包括透明度、耐热性、耐溶剂性和层间附着力的若干物理属性之外，还要求高水平的阻气性。为此，研究了在基板和半导体元件之间提供具有阻气性的阻挡层。

作为获得阻气性的示例，一种技术是将包含梯形聚有机硅倍半硅氧烷的主要成分的树脂层沉积在塑料膜的至少一个上以及将包括氧化硅、氧化硅/氮化硅、氧化硅碳化物、碳化硅、氮化硅和二氧化硅中的任一的无机化合物层形成在树脂层中，以便获得阻气叠层(例如，参见日本未审查专利申请公布号2006-123307)。

发明内容

在一个实施例中，阻气叠层包括基板和形成在基板的表面中的至少一个上的阻挡层。该阻挡层包括含硅和碱土金属的复合氧化物。

附图说明

图1是在第一实施例中的阻气叠层的剖视图；

图2是在第一实施例中的场效应晶体管的剖视图；

图3A至图3E是制造第一实施例中的场效应晶体管的过程的视图；

图4是在第一实施例的变型例中的场效应晶体管的第一剖视图；

图5是在第一实施例的另一变型例中的场效应晶体管的第二剖视图；

图6是在第一实施例的又一变型例中的场效应晶体管的第三剖视图；

图7是在第二实施例中的电视设备的构造的框图；

图8示出第二实施例中的电视设备；

图9示出第二实施例中的电视设备；

图10示出第二实施例中的电视设备；

图11示出第二实施例中的显示元件；

图12示出第二实施例中的有机EL元件；

图13示出第二实施例中的电视设备；

图14示出第二实施例中的另一显示元件；以及

图15示出第二实施例中的又一显示元件。

具体实施方式

本发明的至少一个实施例的总体目的是提供基本上消除由相关技术的局限和缺点导致的一个或多个问题的阻气叠层、半导体装置、显示元件、显示装置和系统。

下面，参考附图描述本发明的实施例。在附图中，相同的部件具有相同的附图标记，并在一些情况下省略了重复描述。

<第一实施例>

<阻气叠层>

图1是在第一实施例中，阻气叠层的剖视图。参考图1，阻气叠层10包括基板11和阻挡层12。

基板11是绝缘构件，并充当用于形成阻挡层12的基体。基板11的形状、结构和尺寸没有特别限制，可以根据需要为了目的进行选择。基板11的材料没有特别限制。基板11的材料可以是刚性材料或挠性材料(即具有挠性的材料)，并可以根据需要为了目的进行选择。下面给出特定示例。

例如，玻璃基板或塑料基板可以用于基板11。没有特别限制玻璃基板，可以根据需要为了目的选择任何玻璃基板。玻璃基板的示例可以包括但不限于无碱玻璃和二氧化硅玻璃。没有特别限制塑料基板，可以根据需要为了目的选择任何塑料基板。塑料基板的示例可以包括但不限于聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚对萘二甲酸乙二醇酯(PEN)。

阻挡层12形成在基板11的表面中的至少一个上。阻挡层12可以形成在基板11的两个表面上。阻挡层12是阻挡诸如氧气或水蒸汽的气流(即气体物质)的层。例如，当半导体元件安装在阻挡层12上时，阻挡层12防止氧气或水蒸汽从基板11侧到达半导体元件。没有特别限制平均厚度，可以根据需要为了目的选择阻挡层12的任何平均厚度。

阻挡层12包括含硅和碱土金属的复合氧化物。与包括SiO₂的已知阻挡层的线性膨胀系数相比，这种阻挡层12更多地提高了线性膨胀系数。因此，阻挡层12实现为几乎不会遭受例如由基板11随着温度变化的膨胀和收缩导致的细微缺陷，比如裂纹、脱皮和针孔。此外，由于在透明度和耐热性方面很好，含硅和碱土金属的复合氧化物可应用于半导体装置，例如薄膜晶体管。

包含在复合氧化物中的碱土金属可以是例如Al、B、Mg、Ca、Sr和Ba中的至少一个。或者，复合氧化物可以包括一些(或全部)Al、B、Mg、Ca、Sr和Ba。复合氧化物可包括Al和B中的至少一个。

<场效应晶体管>

在本文中，作为使用阻气叠层的示例，描述在阻气叠层上制作的场效应晶体管。