[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：

于一第一鳍结构的一部分和一第二鳍结构的一部分上方形成一第一栅极结构和一第二栅极结构，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分设置于一基板上方，以一第一方向延伸，以交叉于该第一方向的一第二方向配置，该第一鳍结构的该部分和该第二鳍结构的该部分彼此平行且突出于一隔绝绝缘层，该第一栅极结构和该第二栅极结构以该第二方向延伸且以该第一方向配置，该第一栅极结构和该第二栅极结构彼此平行；

于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方形成一层间绝缘层；

于该层间绝缘层上方形成具有一第一开口的一第一掩模层，该第一开口位于该第一栅极结构和该第二栅极结构上方；

穿过该第一开口切割该第一栅极结构和该第二栅极结构，且穿过该第一开口蚀刻设置该第一栅极结构和该第二栅极结构之间的该隔绝绝缘层和该层间绝缘层，以形成一第一凹陷；

于该第一凹陷中形成一绝缘层；

形成具有一第二开口的一第二掩模层以暴露位于该第一凹陷中的该绝缘层的一部分和该层间绝缘层的一部分，该第二开口位于该第一鳍结构上方；

穿过该第二开口蚀刻该层间绝缘层的该暴露部分，以于该第一鳍结构上方形成至少一个第二凹陷；以及

于至少该个第二凹陷中形成一导电材料，以形成一第一源极/漏极接触层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该绝缘层包括氮化硅(SiN)。

3.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该导电材料包括钨(W)、钴(Co)、镍(Ni)、钛(Ti)、钽(Ta)、其硅化物或其氮化物的至少一个。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，还包括形成接触该第一源极/漏极接触层的一第一介层孔插塞，其中该第一介层孔插塞包括钨(W)、铜(Cu)、钴(Co)、镍(Ni)或其硅化物的至少一个。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，还包括形成接触该第一介层孔插塞的一第一导线图案，其中该第一导线图案为一电源供应导线。

6.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：

该第二开口也位于该第二鳍结构上方，

在进行穿过该第二开口蚀刻该层间绝缘层的该暴露部分时，于该第二鳍结构上方形成另一个第二凹陷，以及

于该另一个第二凹陷中形成该导电材料以得到一第二源极/漏极接触层。

7.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括形成接触该第一源极/漏极接触层的一第一介层孔插塞，

其中该第一介层孔插塞接触该第二源极/漏极接触层。

8.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，还包括：

形成接触该第一源极/漏极接触层的一第一介层孔插塞；以及

形成接触该第二源极/漏极接触层的一第二介层孔插塞，

其中该第一介层孔插塞和该第二介层孔插塞通过一绝缘材料物理上分离。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其中：

该第二掩模层具有一第三开口以暴露位于该第一凹陷和至少该个第二凹陷和该另一个第二凹陷外面的该绝缘层的一部分，

在进行穿过该第二开口蚀刻该层间绝缘层的该暴露部分时，会穿过该第三开口蚀刻该绝缘层的该部分以形成一第三凹陷，以及

在进行于至少该个第二凹陷和该另一个第二凹陷中形成该导电材料时，也会于该第三凹陷中形成该导电材料。