[发明专利]用于晶片接合的低温黏着树脂有效

申请号：	201580060251.1	申请日：	2015-10-19
公开（公告）号：	CN107078047B	公开（公告）日：	2020-04-21
发明（设计）人：	J.格洛姆;洪立玟;P.安德里;C.K-I.曾;J.尼克-博克尔;R.D.艾伦	申请（专利权）人：	国际商业机器公司
主分类号：	H01L21/304	分类号：	H01L21/304;H01L21/02
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	邱军;王蕊瑞
地址：	美国纽***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	用于晶片接合低温黏着树脂
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【说明书】：

提供一种用于在微电子装置加工中黏着接合的方法，其包括：用包含苯氧基树脂的粘接剂将操作晶片接合至装置晶片的前侧；以及自装置晶片的背侧薄化装置晶片同时将装置晶片粘性地接着至操作晶片上。在已将装置晶片薄化后，可通过激光剥离移除包含苯氧基树脂的粘接剂，其中装置晶片与操作晶片分离。

技术领域

本公开一般涉及用于晶片接合中的粘接剂。

背景技术

暂时晶片接合/剥离对于实施微米和纳米级的半导体装置、光电装置和电装置的制造是重要的技术。接合是将装置晶片(其在最终电子装置结构中变成层)附接至基板或操作晶片的行为，使得其可例如进行布线、接垫和连接冶金的处理。剥离是自基板或操作晶片移除处理的装置晶片的行为，使得该处理的装置晶片可用于电子装置内。用于暂时晶片接合/剥离的一些现存方法涉及在该硅装置晶片与该操作晶片之间直接放置的粘接剂层的使用。当完成硅装置晶片的处理，硅装置晶片可通过许多技术从操作晶片释离，例如通过将晶片对(wafer pair)暴露于由操作体中孔洞所放出的化学溶剂、通过从边缘起始点的机械剥落或通过加热粘接剂使其可松开至硅装置晶片可通过剪切(sheering)而移除之处。

因此，本领域需要解决上述问题。

发明内容

在一个实施例中，提供一种在微电子装置处理中黏着接合的方法，其包括：以包含苯氧基树脂的粘接剂将操作晶片接合至装置晶片的前侧表面；以及自装置晶片的背侧表面薄化装置晶片，同时装置晶片粘性地接着至操作晶片。在已将装置晶片薄化后，可通过激光剥离移除包含苯氧基树脂的粘接剂，其中装置晶片与操作晶片分离。

在另一实施例中，黏着接合的方法可包括以包含苯氧基树脂的粘接剂将操作晶片接合至装置晶片的前侧，其中该粘接剂在小于300℃的温度固化。固化的苯氧基树脂可具有大于1x10⁵Pa.秒的黏度。在将操作晶片接合至装置晶片之后，可自装置晶片的背侧表面薄化装置晶片，同时装置晶片粘性地接着至操作晶片。在已将装置晶片薄化后，可移除包含苯氧基树脂的粘接剂，其中装置晶片与操作晶片分离。

在另一实施例中，提供一种黏着接合的方法，其可包括以包含苯氧基树脂的粘接剂将第一半导体基板接合至第二半导体基板，其中该粘接剂在低于300℃的温度固化。固化的苯氧基树脂可具有大于1x10⁵Pa.秒的黏度。

附图说明

现在参考如以下图中所示的优选实施例仅举例描述本发明：

图1是根据本公开的半导体基板的侧截面图，其可在形成半导体装置的方法中用作装置晶片，该方法使用将该装置晶片黏着接合至操作晶片作为晶片薄化序列的部分；

图2是根据本公开的一个实施例在装置晶片的前表面上形成半导体装置的侧截面图；

图3是根据本公开的一个实施例经由包含苯氧基树脂的粘接剂将操作晶片接合至装置晶片的前表面的侧截面图；

图4是根据本公开的一个实施例的描述薄化装置晶片的背侧表面的侧截面图；

图5是根据本公开的一个实施例的描述图案化薄化的装置晶片的背侧表面的侧截面图；

图6是根据本公开的一个实施例的描述激光剥离以烧蚀包含苯氧基树脂的粘接剂，并自装置晶片移除操作晶片的侧截面图；

图7是说明典型粘接剂(例如聚(甲基)丙烯酸酯粘接剂)的黏度为温度的函数的图表；

图8是说明含有苯氧基树脂的粘接剂与聚(甲基)丙烯酸酯粘接剂在约160℃至210℃的温度范围的黏度比较的图表；以及

图9是说明含有苯氧基树脂的粘接剂与聚(甲基)丙烯酸酯粘接剂在约40℃至210℃的温度范围的黏度比较的图表。