[发明专利]衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统

说明书

本发明公开了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；其中，自第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同。获取采集反射率数据并绘制为反射率柱形图，由于在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向，以最终确定发射率柱形图中每个柱形所对应的衬底。

技术领域

本发明涉及金属有机化合物化学气相沉淀技术领域，更为具体的说，涉及一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统。

背景技术

MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机化合物化学气相沉淀)是用来外延各种Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料的一种重要技术。MOCVD技术特点是可以精确控制和生长具有多种不同原子层结构的材料，MOCVD在材料结构比较复杂的应用领域有着不可替代性。

MOCVD生长工艺过程中，需要对衬底表面的薄膜反射率等参数进行监控测量。具体的，结合图1a和图1b所示，对现有的MOCVD设备进行具体说明，其中，图1为现有的一种MOCVD设备的结构示意图，图2为现有的一种衬底托盘的结构示意图，MOCVD设备包括：反应室100、监控装置200等单元，其中，反应室100内设置有转轴101和被转轴带动而转动的衬底托盘102。衬底托盘102上设置有多个沿反射率监控圆环1021设置的多个等间隔的衬底放置区1022，监控装置200用于输出入射光至反射率监控圆环1021上某一点，通过转轴101带动衬底托盘102转动时，沿反射率监控圆环1021实时采集反射率数据。

现有的MOCVD设备中，转轴和衬底托盘之间的关系分为固定和不固定两类。其中，转轴和衬底托盘不固定的MOCVD设备，衬底托盘的自平衡可以使石墨托盘高速旋转，但是由于衬底托盘与转轴之间不固定，衬底托盘在加速、减速或高速旋转时，衬底托盘与转轴之间会发生滑移，因此很难在采集的反射率数据中确定数据与衬底之间的对应关系。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种衬底托盘、衬底定位方法及衬底定位系统，通过在衬底托盘的第一间隔至第N间隔中设置至少一个定位间隔，进而通过相邻衬底放置区的间隔的距离和反射率柱形图中相邻柱形的间隔的距离对定位间隔进行确定，并通过衬底托盘的转动方向以最终定位衬底。

为实现上述目的，本发明提供的技术方案如下：

一种衬底托盘，所述衬底托盘设置有多个沿反射率监控圆环间隔设置的第一衬底放置区至第N衬底放置区；

其中，自所述第一衬底放置区起，相邻两个衬底放置区的间隔分别为第一间隔至第N间隔，所述第一间隔至第N间隔中包括有至少一个定位间隔，且其余间隔的距离相同，所述定位间隔的距离与任意相邻衬底放置区的间隔的距离不同，N为不小于2的整数。

优选的，所述第一间隔至第N间隔中包括有一个定位间隔。

优选的，所述衬底托盘为石墨托盘。

优选的，所述石墨托盘表面还形成有耐高温包覆涂层。

相应的，本发明还提供了一种衬底定位方法，应用于MOCVD生长工艺中沿反射率监控圆环实时采集衬底托盘上衬底表面的薄膜的反射率的过程，所述衬底托盘为上述的衬底托盘，所述衬底定位方法包括：

获取采集的反射率数据；

根据所述反射率数据绘制反射率柱形图；