[发明专利]AMOLED显示器件的制作方法及其结构在审
申请号: | 201510366825.X | 申请日: | 2015-06-26 |
公开(公告)号: | CN104952791A | 公开(公告)日: | 2015-09-30 |
发明(设计)人: | 徐向阳 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | amoled 显示 器件 制作方法 及其 结构 | ||
1.一种AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,包括:
在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成栅极防反层(2)的步骤;
以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的步骤。
2.如权利要求1所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:
步骤1、提供一基板(1),在所述基板(1)上沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成栅极防反层(2);
步骤2、在所述栅极防反层(2)上沉积第一金属层,并对该第一金属层进行图案化处理,形成栅极(3);
步骤3、在所述栅极(3)及栅极防反层(2)上沉积栅极绝缘层(4);
步骤4、在所述栅极绝缘层(4)上沉积半导体膜,并对该半导体膜进行图案化处理,形成岛状有源层(5);
步骤5、在所述岛状有源层(5)与栅极绝缘层(4)上沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6),再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)进行图案化处理,制得分别暴露出所述岛状有源层(5)两侧的第一过孔(61)与第二过孔(62);
步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积第二金属层,并对该第二金属层进行图案化处理,形成源/漏极(71)与数据线(72),所述源/漏极(71)分别通过第一过孔(61)与第二过孔(62)接触所述岛状有源层(5);
步骤7、在所述源/漏极(71)、数据线(72)及蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积钝化保护膜(8),并对该钝化保护膜(8)进行图案化处理,形成暴露出部分源/漏极(71)的第三过孔(81);
步骤8、在所述钝化保护膜(8)上沉积透明电极层,并对该透明电极层进行图案化处理,形成像素电极层(9),所述像素电极层(9)通过第三过孔(81)接触部分源/漏极(71);
步骤9、在所述像素电极层(9)与钝化保护膜(8)上沉积像素隔离层(10),并对该像素隔离层(10)进行图案化处理,形成暴露出部分像素电极层(9)的开口(101);
步骤10、采用蒸镀工艺在所述开口(101)内形成有机发光层(11);
步骤11、在所述有机发光层(11)与像素隔离层(10)上溅射一层金属阴极层(12);
步骤12、使用封装盖板(13)进行封装。
3.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤1中的无机膜的材料为二氧化硅,厚度为
4.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤5中的无机膜的材料为氧化硅,厚度为
5.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤1与步骤5中进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化氮。
6.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤2中的第一金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合,厚度为
所述步骤3中的栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合,厚度为
所述步骤4中半导体膜的材料为锌氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锆锌氧化物中的一种,厚度为
所述步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合,厚度为
所述步骤7中钝化保护膜(8)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合,厚度为
所述步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌,厚度为
所述步骤9中的像素隔离层(10)的材料为氧化硅,厚度为
所述步骤10有机发光层(11)包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造