[发明专利]AMOLED显示器件的制作方法及其结构在审

专利信息
申请号: 201510366825.X 申请日: 2015-06-26
公开(公告)号: CN104952791A 公开(公告)日: 2015-09-30
发明(设计)人: 徐向阳 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L27/32
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: amoled 显示 器件 制作方法 及其 结构
【权利要求书】:

1.一种AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,包括:

在制作栅极(3)之前沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成栅极防反层(2)的步骤;

以及在制作源/漏极(71)与数据线(72)之前沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)的步骤。

2.如权利要求1所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:

步骤1、提供一基板(1),在所述基板(1)上沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成栅极防反层(2);

步骤2、在所述栅极防反层(2)上沉积第一金属层,并对该第一金属层进行图案化处理,形成栅极(3);

步骤3、在所述栅极(3)及栅极防反层(2)上沉积栅极绝缘层(4);

步骤4、在所述栅极绝缘层(4)上沉积半导体膜,并对该半导体膜进行图案化处理,形成岛状有源层(5);

步骤5、在所述岛状有源层(5)与栅极绝缘层(4)上沉积一层无机膜,并对该无机膜进行等离子轰击处理,使其表面粗糙化,形成蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6),再对所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)进行图案化处理,制得分别暴露出所述岛状有源层(5)两侧的第一过孔(61)与第二过孔(62);

步骤6、在所述蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积第二金属层,并对该第二金属层进行图案化处理,形成源/漏极(71)与数据线(72),所述源/漏极(71)分别通过第一过孔(61)与第二过孔(62)接触所述岛状有源层(5);

步骤7、在所述源/漏极(71)、数据线(72)及蚀刻阻挡与源/漏极防反层(6)上沉积钝化保护膜(8),并对该钝化保护膜(8)进行图案化处理,形成暴露出部分源/漏极(71)的第三过孔(81);

步骤8、在所述钝化保护膜(8)上沉积透明电极层,并对该透明电极层进行图案化处理,形成像素电极层(9),所述像素电极层(9)通过第三过孔(81)接触部分源/漏极(71);

步骤9、在所述像素电极层(9)与钝化保护膜(8)上沉积像素隔离层(10),并对该像素隔离层(10)进行图案化处理,形成暴露出部分像素电极层(9)的开口(101);

步骤10、采用蒸镀工艺在所述开口(101)内形成有机发光层(11);

步骤11、在所述有机发光层(11)与像素隔离层(10)上溅射一层金属阴极层(12);

步骤12、使用封装盖板(13)进行封装。

3.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤1中的无机膜的材料为二氧化硅,厚度为

4.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤5中的无机膜的材料为氧化硅,厚度为

5.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤1与步骤5中进行等离子轰击处理所使用的气体为氮气、氧气、或二氧化氮。

6.如权利要求2所述的AMOLED显示器件的制作方法,其特征在于,所述步骤2中的第一金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合,厚度为

所述步骤3中的栅极绝缘层(4)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合,厚度为

所述步骤4中半导体膜的材料为锌氧化物、铟锌氧化物、锌锡氧化物、铟镓锌氧化物、铟锆锌氧化物中的一种,厚度为

所述步骤6中第二金属层的材料为铬、钼、铝、铜中的一种或多种的组合,厚度为

所述步骤7中钝化保护膜(8)的材料为氧化硅、氮化硅或二者的组合,厚度为

所述步骤8中透明电极层的材料为氧化铟锡、或氧化铟锌,厚度为

所述步骤9中的像素隔离层(10)的材料为氧化硅,厚度为

所述步骤10有机发光层(11)包括空穴注入层、空穴传输层、发光材料层、电子传输层和电子注入层。

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